HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
IXFH / IXFT 68N20
IXFH / IXFT 74N20
200 V 68 A 35毫瓦
200 V 74 A 30毫瓦
t
rr
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
68N20
74N20
68N20
74N20
68N20
74N20
最大额定值
200
200
±20
±30
68
74
272
296
68
74
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
g
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
（ TAB ）
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
低
评级
封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
6
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
30
35
V
V
nA
mA
mA
m
W
m
W
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
低电压继电器
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面封装
高功率密度
74N20
68N20
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
97522C (8/00)
