【HiPerFETTM功率MOSFETN沟道增强模式高dv / dt ，低吨rr， HDMOSTM家庭】,IC型号IXFT68N20,IXFT68N20 PDF资料,IXFT68N20经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

高dv / dt ，低吨

， HDMOS

家庭

DSS

D25

DS （ ON）

IXFH / IXFT 68N20

IXFH / IXFT 74N20

200 V 68 A 35毫瓦

200 V 74 A 30毫瓦

200纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

， di / dt的

100 A / MS ，V

DSS

150℃ ，R

= 2

= 25°C

68N20

74N20

68N20

74N20

68N20

74N20

最大额定值

200

±20

±30

272

296

360

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

AD TO- 247 （ IXFH ）

（ TAB ）

的TO- 268 （ D3），（ IXFT ）

G =门，

S =源，

D =排水，

TAB =漏

（ TAB ）

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

低

评级

封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在整流器

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

300

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

应用

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

200

±100

= 25°C

= 125°C

200

DC- DC转换器

同步整流

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

温度和照明控制

低电压继电器

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= 0.8 V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

优势

易与1螺钉安装（ TO- 247 ）

（隔绝安装螺纹孔）

高功率表面封装

高功率密度

74N20

68N20

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

97522C (8/00)

IXFH 68N20 74N20 IXFH

IXFT 68N20 74N20 IXFT

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

5400

1160

560

120

280

135

0.25

0.35

K / W

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

AD TO- 247 （ IXFH ）大纲

终端：

1 - GATE

2 - 漏极

3 - 来源

标签 - 漏

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 2

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

（ TO- 247封装）

IXFH68N20 & IXFH74N80特性曲线可以在IXFK72N20找到/

IXFK80N20数据表。

源极 - 漏极二极管

符号

= 25A

-di / DT = 100 A / MS ，

= 100 V

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。马克斯。

68N20

74N20

68N20

74N20

272

296

1.5

200

0.85

TO- 268外形

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

闵推荐足迹

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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