M34E02
概要说明
该M34E02是一个2 Kbit的串行EEPROM存储器
能够锁定永久数据在其前半部分
（从位置从00h到7F ） 。这家工厂已经
专为DRAM的DIMM设计使用
（双行间内存模块）与串行
设备检测。所有有关信息
在DRAM模块的配置（例如其
存取速度，它的大小，它的组织）可以
不停地写在所述第一存储器的一半的保护。
该底部的存储器区域的一半可以被写
使用两种不同的软件写保护
保护机制。通过向设备发送一个
特定序列的前128个字节的
记忆变成写保护：长期或
可复位。此外，该设备允许对整个
存储区域进行写保护，使用WC
输入（例如，通过tieing这个输入到V
CC
).
这些我
2
C兼容电可擦除
可编程存储器（EEPROM）器件是
组织为256x8位。
图2.逻辑图
VCC
注： 1。请参阅第19页之后的页封装尺寸，
以及如何识别引脚1 。
设备选择的代码和RW位（如描述
表2 ） ，一个应答位终止。
当将数据写入存储器，存储器
插入9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
当数据总线主机，总线读
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
的ACK后，写一个停止条件，并
经过诺亚克为READ 。
图3. TSSOP和MLP连接（顶
VIEW ）
M34E02
E0
E1
E2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI09021
VCC
WC
SCL
SDA
3
E0-E2
SCL
WC
M34E02
SDA
表1.信号名称
E0, E1, E2
SDA
SCL
WC
芯片使能
串行数据
串行时钟
写控制
电源电压
地
VSS
AI09020
V
CC
V
SS
I
2
C使用一个2线串行接口，它包括一个
双向数据线和一个时钟线。该装置
带有一个内置的4位设备类型标识代码
（1010 ），根据该余
2
C总线定义
访问该存储区和一个第二设备
类型标识符代码（ 0110 ）定义
保护。这些代码一起使用的
施加三个芯片上的电压电平使
输入端（E2 ，E1 E0） 。
该设备相当于在我的从设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后是
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
上电时，上电写入操作
复位（POR）电路被包括在内。在上电时，
内部复位保持有效，直到V
CC
已达到
在POR阈值，并且所有的操作都
禁用 - 该设备将不向任何回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压，低于上电复位门限
值，所有的操作都被禁止，该装置
不会响应任何命令。
一个稳定，有效的V
CC
（如表8中所定义的）必须
施加任何逻辑信号之前被应用。
4/23
