位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1120页 > HYMP532U646-E3 > HYMP532U646-E3 PDF资料 > HYMP532U646-E3 PDF资料1第19页
1240pin
DDR2 SDRAM非缓冲DIMM
电气特性&交流时序
速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌
速度
彬（ CL - tRCD的-TRP ）
参数
CAS延迟
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
DDR2-533 （C4）的
4-4-4
民
4
15
15
60
45
DDR2-400 （ E3 ）
3-3-3
民
3
15
15
55
40
TCK
ns
ns
ns
ns
单位
由速度等级AC时序参数
参数
数据输出边缘到时钟边沿斜
DQS -出边缘时钟边沿斜
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
时钟半周期
系统时钟周期
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间（单端选通）
DQ和DM输入保持时间（单端选通）
控制&地址输入脉冲宽度为每个输入
DQ和DM输入脉冲witdth每个输入脉冲
宽度为每个输入
从CK数据输出高阻抗窗口， / CK
从CK / CK DQS低阻抗时间
从CK / CK DQ低阻抗时间
DQS -DQ歪斜的DQS和相关DQ信号
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
第一DQS闭锁过渡到相关的时钟边缘
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
版本1.0 / 2005年4月
符号
TAC
tDQSCK
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDS
TDH
tDS1
tDH1
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ （ DQS ）
TLZ （DQ）
TDQSQ
TQHS
tQH
tDQSS
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
DDR2-400
民
-600
-500
0.45
0.45
民
（ TCL ， TCH）
5000
150
275
25
25
0.6
0.35
-
TAC分钟
2 * TAC分钟
-
-
THP - TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
最大
600
500
0.55
0.55
-
8000
-
-
-
-
-
-
TAC最大
TAC最大
TAC最大
350
450
-
+0.25
-
-
-
-
-
0.6
-
DDR2-533
民
-500
-450
0.45
0.45
民
（ TCL ， TCH）
3750
100
225
-25
-25
0.6
0.35
-
TAC分钟
2 * TAC分钟
-
-
THP - TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
最大
500
450
0.55
0.55
-
8000
-
-
-
-
-
-
TAC最大
TAC最大
TAC最大
300
400
-
+0.25
-
-
-
-
-
0.6
-
单位注
ps
ns
CK
CK
ns
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
1
1
1
1
19
