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240PIN DDR2 SDRAM基于512 MB 1日版非缓冲DIMM 。
这海力士无缓冲双列直插内存模块（DIMM ）系列由512Mb的一号版本。 DDR2 SDRAM的精细
球栅阵列上的240PIN环氧玻璃基板（ FBGA ）封装。这种现代512MB第一版本。基于DDR2无缓冲
DIMM系列提供了行业标准133.35毫米宽度外形高性能的8字节接口。这是
适用于简单的交换和补充。
特点
JEDEC标准的双倍数据率2 Synchrnous
的DRAM （ DDR2 SDRAM芯片）与1.8V +/- 0.1V电源
供应
所有输入和输出都与SSTL_1.8兼容
接口
4银行架构
中科院发布
可编程CAS延时3 ，4，5
OCD （片外驱动器阻抗调整）
ODT （片上终端）
全差分时钟的操作（ CK & CK ）
可编程的突发长度4月8日与两个sequen-
TiAl合金与交错模式
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
串行存在检测与EEPROM
DDR2 SDRAM包装： 60ball FBGA （ 64Mx8 ） ， 84ball
FBGA(32Mx16)
133.35 X 30.00毫米外形
无铅产品符合RoHS标准
订购信息
部件名称
HYMP532U646-E3/C4
HYMP564U648-E3/C4
HYMP564U728-E3/C4
HYMP512U648-E3/C4
HYMP512U728-E3/C4
HYMP532U64P6-E3/C4
HYMP564U64P8-E3/C4
HYMP564U72P8-E3/C4
HYMP512U64P8-E3/C4
HYMP512U72P8-E3/C4
密度
256MB
512MB
512MB
1GB
1GB
256MB
512MB
512MB
1GB
1GB
组织
32Mx64
64Mx64
64Mx72
128Mx64
128Mx72
32Mx64
64Mx64
64Mx72
128Mx64
128Mx72
排名第
DRAM的
4
8
9
16
18
4
8
9
16
18
排名第
秩
1
1
1
2
2
1
1
1
2
2
物料
含铅
含铅
含铅
含铅
含铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
ECC
无
无
ECC
无
ECC
无
无
ECC
无
ECC
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
版本1.0 / 2005年4月
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