位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第398页 > IDT74FCT825CLB > IDT74FCT825CLB PDF资料 > IDT74FCT825CLB PDF资料1第5页
IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
=
EN
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
一位切换
在f
i
= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
八位切换
在f
i
= 2.5MHz的
占空比为50％
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.2
6.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
4.0
7.8
(5)
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2608 TBL 07
7.19
5
