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IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
产品选择指南
设备
10-Bit
非反相
反相
功能表
(1)
IDT54/74FCT821/823/825
8-Bit
OE
CLR
9-Bit
54/74FCT824A/B/C
输入
EN
54 / 74FCT821A / B / C 54 / 74FCT823A / B / C 54 / 74FCT825A / B / C
D
I
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Q
I
Y
I
L
H
L
L
NC
NC
L
H
L
H
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
L
H
2608 TBL 01
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
功能
高Z
明确
HOLD
负载
引脚说明
名字
D
I
CLR
I / O
I
I
描述
该D触发器的数据输入端。
两个反相和非反相
寄存器，当清除输入为低电平
和
OE
为低电平时，Q
I
输出
低。当清零输入端为高电平时，
数据可以被输入到寄存器中。
时钟脉冲为注册;进入
数据插入低到寄存器
HIGH过渡。
寄存器三态输出。
时钟使能。当时钟使能
为低时，在D个数据
I
输入
传送到Q
I
在输出
低到高的时钟跳变。当
时钟使能为高时，Q
I
输出做
不改变状态，
不管输入的数据或时钟的
转场。
输出控制。当
OE
输入
高电平时，Y
I
输出处于高
阻抗状态。当
OE
输入
低时，为TRUE寄存器的数据
存在于在Y
I
输出。
2608 TBL 10
CP
I
注意：
2608 TBL 02
1. H =高电平，L =低， X =无所谓， NC =没有变化，
↑
=低到高
转型， Z =高阻抗
Y
I ,
Y
I
EN
O
I
功能表
(1)
IDT54/74FCT824
输入
OE
CLR
EN
D
I
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Q
I
Y
I
H
L
L
L
NC
NC
H
L
H
L
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
H
L
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
功能
高Z
明确
HOLD
负载
OE
I
注意：
2608 TBL 03
1. H =高电平，L =低， X =无所谓， NC =没有变化，
↑
=低到
高的转变， Z =高阻抗
7.19
3
