位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第394页 > PSD4235G2V-12B81 > PSD4235G2V-12B81 PDF资料 > PSD4235G2V-12B81 PDF资料1第28页
PSD4235G2
在CSIOP块），或使用读取扇区保护
化指令。请参阅表19 表20 。
RESET
复位指令由一个写周期
（见表29 ） 。它也可以任选地先
通过标准的双解码写周期（写
AAh将AAAH ，以及将55h 554h ） 。
复位指令后，必须执行：
- 读取闪存保护状态或Flash ID
- 发生了错误条件（与设备
已设置错误标志（ DQ5 / DQ13 ）位为1）能很好地协同
荷兰国际集团闪存编程或擦除周期。
RESET指令后立即将闪光
记忆回到正常读取模式。但是，如果
有一个错误条件（与错误标志
（ DQ5 / DQ13 ）位为1 ）的闪存将重新
转读模式25
s
复位后IN-
梁支发出。
发出时， RESET指令将被忽略
在对Flash的程序或批量擦除周期
内存。复位指令中止任何在中间人
荷兰国际集团扇区擦除周期，并返回该闪光
存储器到正常读模式中25
s.
复位（ RESET ）引脚。
在复位脉冲（重
SET ）引脚中止任何周期正在进行中，并
重置闪存的读取模式。当
编程或擦除周期内复位时，
闪存存储器占用到25
s
要返回
读模式。建议在复位
（ RESET ）脉冲（除上电复位，如
第62页上的说明）至少为25
s
从而使
闪存是随时准备为单片机
复位后取出引导赛扬说明
CLE完成。
SRAM
SRAM被启用时， SRAM选择（ RS0 ）
从DPLD为高。 SRAM选择（ RS0 ）可以
包含多达三个产品而言，允许灵活
内存映射。
对SRAM可以使用外部备份
电池。外接电池应连接
向电压待机（ VSTBY ， PE6 ）线。如果您
具有连接到PSD的外部电池，
该SRAM的内容被保留在该事件
的功率损耗。 SRAM的内容再
tained ，只要该电池的电压保持在
2伏或更高。如果电源电压下降到低于
电池电压，内部电源切换到
电池发生。
PE7可以被配置为输出用于指示
当电源正在从外部BAT-绘制
tery 。这种电池指示灯（ VBATON ， PE7 ）
信号为高时，电源电压低于
电池电压和电压的电池
待用（ VSTBY ， PE6 ）的电能提供给
内部SRAM 。
SRAM选择（ RS0 ） ，电压待机（ VSTBY ，
PE6 ）和电池指示灯（ VBATON ， PE7 ）
使用PSDsoft中快递是否全部配置。
内存选择信号
主闪存扇区选择（ FS0-
FS7 ） ，二级闪存扇区选择
（ CSBOOT0 - CSBOOT3 ）和SRAM选择（ RS0 ）
信号是DPLD的所有输出。他们是否变形
使用PSDsoft中快车罚款。以下规则
适用于方程这些信号：
1.主闪存和辅助闪存
内存行业选择信号必须
不
是larg-
尔比物理扇区大小。
2.任何主要的闪存部门必须
不
be
映射为另一个相同的内存空间
快闪记忆体部门。
3.二次闪存部门必须
不
be
映射为另一个相同的内存空间
二级闪存部门。
4. SRAM ， I / O和外设I / O必须的空间
不
重叠。
5.二次闪存部门
五月
交叠
伯闪存扇区。如遇过
一圈，优先级被给予二次闪光
内存部门。
6. SRAM ， I / O和外设I / O空间
五月
重叠的任何其它存储器扇区。当务之急是giv-
连接到SRAM ， I / O或外设I / O 。
图8.记忆优先级别和I / O
组件
最高的优先级
LEVEL 1
SRAM ， I / O ，或
外围I / O
LEVEL 2
次
非易失性存储器
LEVEL 3
主要的闪存
最低优先级
AI02867D
例子。
FS0时有效地址是在
8000H到BFFFH范围， CSBOOT0是有效的
8000H到9FFFH和RS0的有效期是从8000h到
87FFh 。任何地址中RS0的范围始终
访问SRAM中。任何地址的范围
CSBOOT0比87FFh更大（且小于
9FFFH ）地址自动辅助闪光
内存段0的任何地址大于
9FFFH访问主闪存存储器段
28/89
