位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第394页 > PSD4235G2V-12B81 > PSD4235G2V-12B81 PDF资料 > PSD4235G2V-12B81 PDF资料1第23页
PSD4235G2
说明
一个指令由特定的序列的
操作。每一个接收到的字节顺序是DE-
通过在PSD的编码，并且不执行作为标准
写操作。该指令被执行时
正确的字节数被正确接收的
与两个连续字节之间的时间间隔是
比超时时间短。某些指令
系统蒸发散的结构，包括读操作自动对焦
器最初写操作。
该指令必须严格遵守。任何IN-
指令字节或超时的有效组合
连续的两个字节之间，同时解决
闪存存储器复位器件逻辑为READ
模式（闪存读取就像一个ROM设备） 。
该PSD支持总结中的说明
表29 ：
s
通过芯片或扇区擦除记忆
s
s
s
s
s
s
挂起或恢复扇区擦除
编程一个字
RESET为READ模式
读小学的Flash标识符值
读扇区保护状态
绕行
这些说明详见表29。 EF-
的指令够的解码，前两个
一个指令的字节必须是在编码周期和
后面跟着一个指令字节或确认
字节。该编码周期包括写入数据的
在第一周期期间将AAh解决XAAAh和
第二赛扬在数据55H解决X554h
CLE （除非绕道指令功能时，
如后述）。地址信号A15- A12是
在指令写入周期不在乎。
然而，相应的行业选择信号
（ FS0 - FS7 ，或CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须SE-
选中。
小学和中学的闪存有
相同的指令集（除了读主
闪光标识符）。该部门选择信号阻止 -
矿的Flash存储器是接收和exe-
可爱的指令。主闪存存储器是
如果它的行业选择信号的任何一个选择
（ FS0 - FS7 ）为高电平时，与二次闪存存储器
储器被选中，如果其行业选择显的任何一个
的NAL （ CSBOOT0 - CSBOOT3 ）为高。
上电状态。
该PSD内部逻辑
重新上电时为读模式。扇形
选择（ FS0 - FS7和CSBOOT0 - CSBOOT3 ）
必须保持为低电平，写选通（ WR / WRL ，
CNTL0 ）高，中电最大SE-
的数据内容curity和除去POS-
数据sibility被写上的第一边缘
写选通（ WR / WRL ， CNTL0 ） 。任何写周期
开始时V锁定
CC
低于V
LKO
.
读闪存
在典型的情况下， MCU可以读取
主闪存存储器，或仲闪存存储器
储器，使用读操作，就像它的ROM
或RAM器件。交替时，MCU可使用
读操作来获取状态信息
关于编程或擦除周期目前处于
进展情况。最后， MCU可以使用指令来
读取这些内存块的特殊数据。该
下面分别介绍这READ功能。
读取存储器的内容。
主要的闪存
和第二Flash存储器被放置在
在掉电后，芯片复位，或者复位读取模式
闪光指令（见表29 ） 。 MCU可以
读的主闪存存储器中的内容
存储器，或二次闪存使用
读操作的任何时候读取操作
不是一部分的指令。
读小学的Flash标识符。
该
主
闪速存储器的标识符被读取的指令
由4个操作： 3的具体写操作
tions和一个读操作（见表29 ） 。该
标识符用于主闪存存储器是E8H 。该
二级闪存不支持此IN-
梁支。
读存储器扇区保护状态。
该
闪存扇区保护状态被读
用四则运算组成的指令：
三个具体的写操作和读操作
化（见表29 ） 。读操作产生
01H如果闪存部门是受保护的，或00H
如果该扇区没有被保护。
所有NVM块的扇区保护状态
（主闪存存储器，或仲闪存存储器
储器）可以通过访问闪存的MCU读取
在保护和Flash启动保护寄存器
PSD I / O空间。请参见题为“闪光
内存部门保护“ ，第27页，用于寄存器
德网络nitions 。
读擦除/编程状态位。
该
PSD提供了所使用的几种状态位
MCU确认完成擦除或亲中
克周期的闪存。这些状态位
最大限度地减少了MCU所花费的时间perform-
荷兰国际集团这些任务，并在表30中被定义
状态字节位于偶数位置，并且可以是
根据需要多次读出。还要注意的是
DQ15 - DQ8是偶字节摩托罗拉微控制器
用一个16位数据总线。
对于闪存，微控制器可以执行READ
操作以获得这些状态位，而一个
擦除或编程指令正在执行
嵌入的算法。看到标题为
“编程快闪记忆体” ，第25页， DE-为
尾巴。
23/89
