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P L I M I N A R
概述
该Am29LV800D是8兆， 3.0伏，只
快闪记忆体组织为1,048,576字节或
524,288字。该器件采用48球
FBGA封装， 44引脚SO和48引脚TSOP封装。
欲了解更多信息，请参阅发布
数21536.字范围内的数据（ X16 ）
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据
出现在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的， 3.0伏V
CC
供应进行读取，
程序，以及擦除操作。标准
EPROM编程器也可用于编程
和擦除设备。
该器件采用AMD的0.23制造
微米制程技术，并提供所有如果没有这特性
及其良好的AM29LV800B ，利益这
采用0.32微米工艺制造技
术。
该标准的设备提供访问70次，
90和120纳秒，使高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。要elim-
inate总线争用的设备有不同的
芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏
电源
用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生，调节电压
提供了编程和擦除年龄
操作。
该设备完全命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存
斯坦准。
OM要求主要写到
使用标准的微处理器的命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行
程序命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的亲
通过要求只有两个写编程时间
循环编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部algo-
rithm自动preprograms阵列
（如果它尚未编程）之前exe-
琴键擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序
或擦除操作完成，通过观察
RY / BY ＃引脚，或通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
后
程序或擦除周期已经完成，该
设备已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
该
扇区擦除架构
让记忆
行业要擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。该
从出厂时设备被完全擦除
工厂。
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器可以自动抑制
在电源转换写入操作。该
硬件部门保护
功能禁用
这两个方案，并在任何的COM擦除操作
bination的内存部门。这可以是
在系统或通过编程来实现分析装备
换货。
该
擦除挂起
特征使得用户能够
把擦除搁置任何一段时间来阅读
从数据或程序数据，任何扇区这
不选择删除。真实背景
擦除可以由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
任何终止
操作进行中和复位内部
状态机来读取阵列数据。该
RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位会也因此而重置
装置，使系统的微处理器，以
阅读从Flash中引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。
当地址已稳定为指定的
的时间内，该器件进入
自动
马蒂奇睡眠模式。
该系统还可以将
器件进入
待机模式。
功率变
消耗是在这两个大减
模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产
的质量，可靠性和成本的最高水平
有效性。该装置电擦除
所有的BI TS通过Wi薄秒至R同时
福勒- Nordheim隧穿。该数据是亲
编程使用热电子注入。
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Am29LV800D
Am29LV800D_00_A4_E 2005年1月21日
