CY62136V的MoBL
128K ×16静态RAM
特点
低电压范围：
- CY62136V ： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该CY62136V是48球FBGA封装，并提供标准
44引脚TSOP II型（正向引脚排列）封装。
功能说明
该CY62136V是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为131,072字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
该装置还可以deselect-当置于待机模式
ED （ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（ CE
逻辑框图
销刀豆网络gurations
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
数据驱动因素
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
128K ×16
RAM阵列
1024 X 2048
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
的MoBL和更多的电池寿命是赛普拉斯半导体公司的商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05087牧师**
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2000年9月5日
