CY62136V的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
高速
= 55 ns的
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
=宽电压范围
— 2.7V – 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅44引脚TSOP
II型（向前的引脚）和48球FBGA封装
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62136V是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
11
A
13
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05087牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月19日
CY62136V的MoBL
产品组合
功率耗散（工业）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62136VLL
分钟。
2.7
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.6
速度
55
70
等级
产业
产业
汽车
工作，我
CC
（MA ）
典型值。
[2]
7
7
7
最大
20
15
20
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
1
1
1
最大
15
15
20
销刀豆网络gurations
[3, 4 ]
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
CE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
48球FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CCQ
V
SSQ
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. E3 （ DNU ）引脚都被悬空或连接到V
SS
为确保正常运行。
文件编号： 38-05087牧师* D
分页： 13 2
CY62136V的MoBL
引脚德网络nitions
引脚数
1–5, 18–22, 24–27, 42–45
TYPE
输入
A
0
–A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
15
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
NC 。
该管脚没有连接到模
描述
7-10 ， 13-16 ， 29-32 ， 35-38输入/输出
23
17
6
40, 39
无连接
输入/控制
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读
进行
输入/控制
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
输入/控制
BHE ， BLE 。
BHE = LOW选择高字节写或读上SRAM
BLE = LOW选择低位字节写或读上SRAM
输入/控制
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚
表现为输出。当拉高高， I / O引脚处于三态，并作为
输入数据引脚
地
V
SS
。地为设备
41
12, 34
11, 33
电源
V
CC
。电源为设备
文件编号： 38-05087牧师* D
第13 3
CY62136V的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[5]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境温度[T
A
]
[7]
40°C
至+ 85°C
40°C
至+ 125°C
V
CC
2.7V至3.6V
电气特性
在整个工作范围
CY62136V-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
I
OH
=
1.0
mA
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
产业
汽车
产业
汽车
V
CC
= 3.6V ，工业
I
OUT
= 0 mA时，
汽车
CMOS
水平
7
1
20
2
100
–1
+1
2.2
–0.5
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 2.2
0.5V
0.8
+1
–0.5
–1
–10
–1
–10
7
7
1
CY62136V-70
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+10
+1
+10
15
20
2
100
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
A
MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 UNIT
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
,
当前
F = 1MHz时，
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
0.3V,
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f = f
最大
CMOS输入
自动CE
CE > V
CC
0.3V
V
CC
= 3.6V工业
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
or
汽车
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
1
I
SB2
15
1
1
15
20
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[6]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
2层印刷电路板
FBGA
41.17
11.74
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
5. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
文件编号： 38-05087牧师* D
第13 4
CY62136V的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
R1
V
CC
产量
30 pF的
R2
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间：
1 V / ns的
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
(c)
(b)
相当于：
产量
戴维南等效
RTH
(a)
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
没有输入可能超过V
CC
+ 0.3V
0
70
条件
[9]
分钟。
1.0
0.5
典型值。
[2]
马克斯。
3.6
7.5
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[8]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
8.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定的，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
文件编号： 38-05087牧师* D
第13个5
CY62136V的MoBL
128K ×16静态RAM
特点
低电压范围：
- CY62136V ： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该CY62136V是48球FBGA封装，并提供标准
44引脚TSOP II型（正向引脚排列）封装。
功能说明
该CY62136V是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为131,072字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
该装置还可以deselect-当置于待机模式
ED （ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（ CE
逻辑框图
销刀豆网络gurations
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
数据驱动因素
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
128K ×16
RAM阵列
1024 X 2048
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
的MoBL和更多的电池寿命是赛普拉斯半导体公司的商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05087牧师**
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2000年9月5日
CY62136V的MoBL
销刀豆网络gurations
（续）
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62136V
产业
范围
环境温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
V
CC
范围
产品
CY62136V
V
CC（分钟）
2.7V
V
CC(typ.)[2]
3.0V
V
CC （最大）
3.6V
动力
LL
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
7毫安
最大
15毫安
典型值。
[2]
1 A
待机（我
SB2
)
最大
15 A
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05087牧师**
第12页2
CY62136V的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62136V
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
,
CMOS电平
I
OUT
= 0 mA时，
F = 1MHz时，
CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
or
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=
3.6V
LL
1
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
0.5
1
1
+1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
1
2
mA
100
A
I
SB2
15
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[3]
热阻
（结点到外壳）
[3]
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
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CY62136V的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
产量
GND
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
上升时间：
1 V / ns的
R1
V
CC
典型值
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(a)
(b)
(c)
相当于：
戴维南等效
RTH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75V
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.0V
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V
没有输入可能超过
V
CC
+0.3V
LL
条件
[5]
分钟。
1.0
0.5
典型值。
[2]
马克斯。
3.6
7.5
单位
V
A
t
CDR[3]
t
R[4]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
70
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
4.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ;
100 ms或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100毫秒。
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC
指定的典型值，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
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CY62136V的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[5]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
25
25
10
25
25
0
55
25
70
35
5
25
25
70
60
60
0
0
50
60
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[6, 7]
BLE / BHE高到高阻态
[8]
分钟。
55
10
5
10
0
5
55
45
45
0
0
40
50
25
0
5
开关波形
读周期1号
[10,
11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
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