复合晶体管
XP06401
(XP6401)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
对于一般的放大
■
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.2
±0.05
6
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
■
基本型号
2SB0709A （ 2SB709A ）
×
2
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
0.9
±0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
150
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Tr1
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC -88
0-0.1
标记符号： 50
内部连接
6
5
4
Tr2
1
2
0.9
+0.2
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：收集器（ Tr1的）
SMini6 -G1封装
3
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
h
FE
比
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE （小/
大）
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
B
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
100
160
0.50
0.99
0.5
80
2.7
460
A
A
V
兆赫
pF
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年2月
SJJ00212BED
0.2
±0.1
5
1
