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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第149页 > XP06401
复合晶体管
XP06401
(XP6401)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位:mm
0.12
+0.05
–0.02
对于一般的放大
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.2
±0.05
6
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
基本型号
2SB0709A ( 2SB709A )
×
2
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
0.9
±0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
150
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Tr1
1 :发射器( Tr1的)
2 :发射器( TR2)
3 :基地( TR2)
EIAJ : SC -88
0-0.1
标记符号: 50
内部连接
6
5
4
Tr2
1
2
0.9
+0.2
–0.1
4 :收藏家( TR2)
5 :基地( Tr1的)
6 :收集器( Tr1的)
SMini6 -G1封装
3
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
h
FE
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE (小/
大)
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
B
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 2
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈,我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
100
160
0.50
0.99
0.5
80
2.7
460
A
A
V
兆赫
pF
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * : 2个元素之间的比例
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2004年2月
SJJ00212BED
0.2
±0.1
5
1
XP06401
P
T
T
a
250
60
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
300
A
250 A
40
200 A
150 A
100 A
50 A
60
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
50
I
C
I
B
总功耗
P
T
( mW)的
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
200
40
150
30
30
100
20
20
50
10
10
0
0
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
0
0
100
200
300
400
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
I
B
V
BE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
240
I
C
V
BE
V
CE
= 5
V
25°C
T
a
=
75°C
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/ I
B
=
10
200
集电极电流I
C
(MA )
基极电流I
B
(
A
)
1
25°C
T
a
= 75°C
25°C
160
120
10
1
80
10
2
40
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
3
1
10
10
2
10
3
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
I
C
600
V
CE
=
–10 V
160
140
V
CB
=
10
V
T
a
= 25°C
f
T
I
E
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
C
ob
V
CB
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
10
10
2
10
3
500
120
100
80
60
40
20
400
T
a
=
75°C
25°C
25°C
300
200
100
0
1
0
10
1
1
10
10
2
10
10
2
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJJ00212BED
XP06401
NF
I
E
6
V
CB
= 5
V
f
=
1千赫
R
g
=
2 k
T
a
=
25°C
20
V
CB
= 5
V
R
g
=
50 k
18 T
=
25°C
a
16
NF
I
E
-h参数
I
E
V
CE
= 5
V
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
10
2
5
h
fe
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
4
14
-h参数
12
10
8
6
4
2
f
=
100赫兹
1千赫
10千赫
h
oe
(S)
3
10
h
ie
(k)
2
1
0
10
2
10
1
1
10
0
10
1
1
10
1
10
1
h
re
(× 10
4
)
1
10
发射极电流I
E
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
-h参数
V
CE
I
E
=
2毫安
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
h
fe
10
2
-h参数
h
oe
(S)
10
h
re
(× 10
4
)
h
ie
(k)
1
1
10
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
SJJ00212BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
复合晶体管
XP06401
(XP6401)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位:mm
0.12
+0.05
–0.02
对于一般的放大
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.2
±0.05
6
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
基本型号
2SB0709A ( 2SB709A )
×
2
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
0.9
±0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
150
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Tr1
1 :发射器( Tr1的)
2 :发射器( TR2)
3 :基地( TR2)
EIAJ : SC -88
0-0.1
标记符号: 50
内部连接
6
5
4
Tr2
1
2
0.9
+0.2
–0.1
4 :收藏家( TR2)
5 :基地( Tr1的)
6 :收集器( Tr1的)
SMini6 -G1封装
3
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
h
FE
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE (小/
大)
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
B
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 2
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈,我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
100
160
0.50
0.99
0.5
80
2.7
460
A
A
V
兆赫
pF
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * : 2个元素之间的比例
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2004年2月
SJJ00212BED
0.2
±0.1
5
1
XP06401
P
T
T
a
250
60
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
300
A
250 A
40
200 A
150 A
100 A
50 A
60
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
50
I
C
I
B
总功耗
P
T
( mW)的
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
200
40
150
30
30
100
20
20
50
10
10
0
0
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
0
0
100
200
300
400
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
I
B
V
BE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
240
I
C
V
BE
V
CE
= 5
V
25°C
T
a
=
75°C
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/ I
B
=
10
200
集电极电流I
C
(MA )
基极电流I
B
(
A
)
1
25°C
T
a
= 75°C
25°C
160
120
10
1
80
10
2
40
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
3
1
10
10
2
10
3
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
I
C
600
V
CE
=
–10 V
160
140
V
CB
=
10
V
T
a
= 25°C
f
T
I
E
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
C
ob
V
CB
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
10
10
2
10
3
500
120
100
80
60
40
20
400
T
a
=
75°C
25°C
25°C
300
200
100
0
1
0
10
1
1
10
10
2
10
10
2
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJJ00212BED
XP06401
NF
I
E
6
V
CB
= 5
V
f
=
1千赫
R
g
=
2 k
T
a
=
25°C
20
V
CB
= 5
V
R
g
=
50 k
18 T
=
25°C
a
16
NF
I
E
-h参数
I
E
V
CE
= 5
V
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
10
2
5
h
fe
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
4
14
-h参数
12
10
8
6
4
2
f
=
100赫兹
1千赫
10千赫
h
oe
(S)
3
10
h
ie
(k)
2
1
0
10
2
10
1
1
10
0
10
1
1
10
1
10
1
h
re
(× 10
4
)
1
10
发射极电流I
E
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
-h参数
V
CE
I
E
=
2毫安
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
h
fe
10
2
-h参数
h
oe
(S)
10
h
re
(× 10
4
)
h
ie
(k)
1
1
10
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
SJJ00212BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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联系人:高小姐/李先生
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联系人:刘经理
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