16兆位多用途闪存+
SST39VF1681 / SST39VF1682
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF168x也有
自动低功耗
模式
这使该装置中的数据后，邻近待机模式
已被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为3 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF168x提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39VF168x的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图3） 。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字节编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
字节编程操作
该SST39VF168x被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将在10μs内完成。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图19的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
2003硅存储技术公司
S71243-03-000
11/03
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