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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
RESET
硬件复位引脚
该MBM29LV160T / B设备可以通过驱动RESET引脚到V重置
IL
。 RESET引脚具有脉冲
要求，必须保持低（Ⅴ
IL
）为至少500毫微秒，以便正确地复位内部状态机。
任何操作中被执行的处理将被终止，内部状态机将复位
到读模式t
准备
之后， RESET引脚被拉低。此外，一旦RESET引脚变为高电平时，
设备需要额外吨
RH
它允许读取访问之前。当RESET引脚为低电平时，器件将在
待机模式下的脉冲的持续时间，所有的数据输出引脚将三态的。如果一个硬件复位
一个程序或擦除操作期间发生时，在该特定位置的数据将被破坏。请注意
该RY / BY输出信号应在RESET脉冲期间被忽略。请参考图12为时序图。
请参阅临时机构的unprotection的附加功能。
如果在嵌入式擦除算法发生硬件复位时，有一种可能性，即擦除扇区（多个）将
需要再次擦除它们可以被编程之前。
字/字节CON组fi guration
BYTE引脚选择字节（ 8位）模式或字（16位）模式的MBM29LV160T / B设备。当此
引脚驱动为高电平时，器件工作在字（16位）模式。的数据被读出并在DQ的编程
0
to
DQ
15
。当该引脚为低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在此模式下， DQ
15
/A
-1
引脚成为
最低地址位和DQ
8
到DQ
14
位处于三态。但是，命令总线周期始终是一个8位的
操作，从而命令被写在DQ
0
到DQ
7
和DQ
8
到DQ
15
位被忽略。参见图
图13和14的时序图。
数据保护
该MBM29LV160T / B设计是为了提供保护，防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。在自动上电装置
内部状态机复位到读模式。另外，对于其控制寄存器结构，改变的
存储器内容只能成功完成特定的多总线周期的命令序列后发生。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
超过2.3 V （典型2.4 V ） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有内部程序/擦除电路
被禁用。在此条件下，该装置将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到
在V
CC
电平大于V
LKO
。这是用户的责任，以确保控制引脚在逻辑上是正确的
当防止无意识V
CC
高于2.3 V.
如果嵌入式擦除算法被中断时，有可能在擦除扇区（ S）将需
擦除之前再次编程。
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）的OE ， CE噪声脉冲，否则我们将不会改变命令寄存器。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
，CE = V
IH
，或者我们= V
IH
。要开始写， CE ，我们必须
是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
上电设备的用WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位，读取上电模式。
处理SON封装
标记侧的金属部分与内部芯片电连接。请注意不要发生
操作过程中的电连接。在最坏的情况下，也可以使设备或系统的永久损坏
通过过大的电流。
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