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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
进行编程，以部门未擦除暂停。从擦除悬浮部门先后阅读
而设备在擦除暂停程序模式会导致DQ
2
切换。在使用擦除的结束
由RY / BY检测输出引脚， DQ的数据轮询暂停程序运行
7
或切换位（ DQ
6
)
这是一样的正规程序操作。需要注意的是DQ
7
必须从程序地址读
而DQ
6
可以从任意地址读取。
要恢复扇区擦除的操作，继续命令（ 30H ）应写入。任何进一步的写
在这一点上，继续命令将被忽略。另一个擦除挂起命令可以写成后，
芯片已恢复擦除。
扩展命令
（ 1 ）快速模式
MBM29LV160T / B具有快速模式功能。该模式省去了所需的初始两个解锁周期
在标准程序命令序列写入快速模式命令到命令寄存器。在这
模式下，所需的总线周期的编程是两个周期，而不是在标准方案4总线周期
命令。 （不要写在此模式下擦除命令。 ）退出后，这也是执行读操作
模式。要退出该模式下，有必要写快速模式复位命令到命令寄存器。
（参见图26扩展算法）的V
CC
有功电流是必需的，即使CE = V
IH
在快
模式。
（ 2 ）快速编程
在快速模式中，编程可以与两个总线周期的操作被执行。嵌入式程序
算法是通过编写程序建立命令（ A0H ）和数据写入周期（ PA / PD ）执行。 （参考
图26扩展算法）。
（ 3 ） CFI （通用闪存接口）
在CFI （通用闪存接口）规范描述的设备和主机系统软件
询问信号交换，它允许将用于整个特定供应商指定的软件算法
设备的家庭。这使得设备无关， JEDEC ID无关，并正向和向后
为指定的闪存设备系列兼容的软件支持。参阅CFI的说明书中的细节。
通过写查询命令（ 98H ）到命令寄存器启动操作。继
命令的写入，从特定的地址读周期retrives设备信息。请注意，输出数据
高字节（ DQ
8
到DQ
15
）为“0”字模式（ 16位）读取。参阅CFI的代码表。终止
操作时，有必要写的读/复位命令序列到寄存器。
（ 4 ）扩展行业保护
除了正常的扇区保护功能， MBM29LV160T / B已经扩展扇区保护延展
功能。此功能允许通过迫使V保护部门
ID
在RESET引脚和写commnad序列。
不同于传统的过程，它是没有必要强制V
ID
和控制时序控制引脚。唯一
RESET引脚需要V
ID
用于扇区保护在此模式。扩展行业保护要求V
ID
上电复位
引脚。以这种状态下，通过写入所述的建立命令（ 60H ） ，变成命令启动操作
注册。然后，扇区地址引脚（A
19
, A
18
, A
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
AND A
12
）和（A
6
, A
1
, A
0
) = (0, 1, 0)
应该被设置为要被保护的扇区（推荐设定V
IL
对于其他地址引脚），并写
扩展行业保护命令（ 60H ） 。扇区通常是在保护150
s.
要验证的编程
保护电路，扇区地址引脚（A
19
, A
18
, A
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
AND A
12
）和（A
6
, A
1
, A
0
) =
（0 ，1，0 ）应设置与写命令（40H ） 。以下的命令写入时，一个逻辑“1” ，在设备
输出DQ
0
将产生用于在读操作中受保护的扇区。如果输出数据是逻辑“ 0”时，请
重复编写扩展行业保护命令（ 60H ）一次。以终止该操作，有必要
设置RESET引脚到V
IH
.
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