添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第245页 > M27C400-55F1TR > M27C400-55F1TR PDF资料 > M27C400-55F1TR PDF资料1第5页
M27C400
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 5V ± 5 %或5V ±10 % ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 8MHz的
电源电流
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流,有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿的大小
瞬态电流的峰值是依赖于钙
该装置的pacitive和感性负载输出
放。相关的瞬态电压峰值可
通过与两线相符能够抑制输出
把控制和正确选择脱钩
电容器。建议在一个0.1μF ceram-
IC电容器用于V之间的每一个设备上
CC
和V
SS
。这应该是一个高频率型
低固有电感与应尽可能地
关闭尽可能到设备。此外,一个
4.7μF的电解电容,应使用BE-
吐温V
CC
和V
SS
每八个设备。这
电容应安装在靠近电源支持
帘布层的连接点。该电容的目的
是克服造成在 - 的电压降
的PCB走线导电的作用。
程序设计
当传送(每个擦除的紫外线后,
EPROM)的M27C400的所有位都在'1'
状态。数据是通过选择性地编程引入
明'0'到所需的位的位置。虽然
只有'0'将被编程,既'1'和'0'即可
存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个'0'到'1',是通过模具博览会ultravio-
让光( UVEPROM ) 。该M27C400是亲
编程模式时, V
PP
输入为12.5V , G是
在V
IH
和E是脉冲到V
IL
。数据被亲
编程加到16位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平
和数据输入是TTL 。 V
CC
被指定为
6.25V ± 0.25V.
5/14

深圳市碧威特网络技术有限公司