位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第245页 > M27C400-55F1TR > M27C400-55F1TR PDF资料 > M27C400-55F1TR PDF资料1第10页
M27C400
图9.程序流程图
板载编程
该M27C400可以直接编程的
应用电路。请参阅相关的应用
注AN620 。
电子签名
电子签名（ ES ）模式允许
从EPROM读出的二进制代码
将确定其制造商和型号。此模式
旨在用于通过编程设备
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。
在ES模式功能，在25 ℃±5 ℃，上午
亲时所需关环境温度范围
编程的M27C400 。要激活ES
模式，编程设备必须强制
11.5V到12.5V上的地址线A9
M27C400 ，与V
PP
= V
CC
= 5V 。两个标识符
字节然后，可以从该设备测序输出
提出了从V切换地址线A0
IL
到V
IH
。所有
其他地址线必须在V举行
IL
中
电子签名方式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商
编码和字节1 （ A0 = V
IH
）设备identi连接器
代码。对于意法半导体M27C400 ，这些
2标识符字节列于表4 ，并且可以是
读出的输出Q7到Q0 。
清除操作（适用于UV EPROM ）
该M27C400的擦除特性
使得擦除开始时，细胞是EX-
所构成的光的波长比AP-短
近因4000埃。但是应当注意的是
阳光和某些类型的荧光灯都
波长在3000-4000的范围内。研究
表明，长期暴露于室内的水平fluo-
rescent照明可以在擦除一个典型的M27C400
约3年，而这将需要大约1
周以使擦除时直接暴露在
阳光下。如果M27C400是暴露于这些
类型的照明条件的长时间
时间，故建议不透明的标签放在过
该M27C400窗口，以防止意外era-
肯定。对于推荐的擦除程序
M27C400是暴露在短波紫外线
光，其具有2537埃的波长。在英特
磨碎的剂量（即紫外线强度X曝光时间）
擦除最小应为30的W-秒/厘米
2
.
擦除时间与该剂量是approximate-
使用紫外灯与光年30至40分钟
12000微瓦/平方厘米
2
额定功率。该M27C400
灯应置于2.5厘米（1英寸）
擦除过程管。有些灯具有一个过滤器
他们管这前应去除
擦除。
VCC = 6.25V ， VPP = 12.5V
n=0
E = 50μs的脉冲
NO
++n
= 25
是的
NO
VERIFY
是的
LAST
ADDR
NO
++地址
失败
是的
检查所有单词
BYTEVPP = VIH
第一： VCC = 6V
第二： VCC = 4.2V
AI01044B
PRESTO III编程算法
通过Presto III编程算法允许
整个阵列与一个瓜拉尼进行编程
在26秒的典型时间开球余量。亲
有魄力III编程包括应用的
的50μs的编程脉冲序列的每个字
直到一个正确的验证（见图9 ） 。中
编程和验证操作保证金
模电路会自动启动，以瓜拉尼
每个小区被程序性有足够的马歇尔三通
杜松子酒。没有过度承诺脉冲，因为应用
验证保证金模式提供了必要的
裕每个程序性细胞。
禁止程序
并行地在多个M27C400s的编程
用不同的数据也很容易完成。 EX-
概念为E，都喜欢投入，包括并行G的
M27C400可以是常见的。一个TTL低电平脉冲
适用于M27C400的输入E和V
PP
为12.5V ，
会编程的M27C400 。高E级输入IN-
hibits被亲的其他M27C400s
编程。
程序校验
一个验证（阅读） ，应在执行亲
编程位，以确定它们是正确─
LY编程。在验证完成为E
在V
IH
和G在V
IL
, V
PP
在12.5V和V
CC
at
6.25V.
10/14
