t
CYC
CLK
t
SE
t
HE
t
CH
t
CL
CEN
t
的HAdV
t
SADV
ADV / LD
t
SW
t
HW
读/写
t
SA
t
HA
A2
t
SC
t
HC
地址
A1
CE
1
,
CE
2
(2)
读周期的时序波形
(1,2,3,4)
IDT71V65603 ， IDT71V65803 ， 256K ×36 ， 512K ×18 ， 3.3V同步SRAM与
ZBT 功能， 3.3VI / O ，突发计数器和流水线输出
商用和工业温度范围
6.42
17
t
CLZ
t
CD
Q （A
1
)
管道
读
管道
读
Q （A
2
)
O1(A2)
t
疾病预防控制中心
O2(A2)
Q （A
2+1
)
t
疾病预防控制中心
t
CD
（ CEN高，消除
目前L-H时钟沿）
（突发绕到
初始状态）
BW
1
-
BW
4
OE
t
CHZ
Q （A
2+2
)
爆裂管道读
5304 DRW 06
数据
OUT
Q （A
2+2
)
Q （A
2+3
)
O1(A2)
Q （A
2
)
注意事项：
1. Q （A
1
）表示从外部地址A的第一输出
1
。 Q （A
2
）表示从外部地址A的第一输出
2
; Q （A
2+1
）表示的脉冲串序列中的下一个输出数据
该基址的
2
等在那里的地址位A0和A1推进四个词被爆的状态定义的顺序
LBO
输入。
2. CE
2
定时转换是相同的，但反转为
CE
1
和
CE
2
信号。例如，当
CE
1
和
CE
2
是低开这种波形，CE
2
为高。
当新的地址和控制被加载到SRAM通过取样ADV / LD低3.突发结束。
4. R / W是当SRAM被爆破（ ADV / LD采样到高）不关心。的突发访问（读或写）的性质是固定的R / W信号，当新地址的状态
和控制被加载到SRAM中。
,
