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IDT 70V27S / L
高速3.3V 32K ×16的双端口静态RAM
商用和工业温度范围
AC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(4, 6)
70V27X15
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2,5)
芯片禁用断电时间
(2,5)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
旗语地址访问时间
15
____
____
70V27X20
Com'l只有
分钟。
马克斯。
70V27X25
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
____
____
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3603 TBL 12A
15
15
15
10
____
20
20
20
12
____
25
25
25
15
____
____
____
____
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____
____
____
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3
3
____
3
3
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3
3
____
____
____
____
12
____
12
____
15
____
0
____
0
____
0
____
15
____
20
____
25
____
10
____
10
____
15
____
15
20
35
70V27X35
Com'l &工业
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2,5)
芯片禁用断电时间
(2,5)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
旗语地址访问时间
35
____
____
70V27X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
55
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3603 TBL 12B
35
35
35
20
____
55
55
55
30
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____
____
____
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3
3
____
3
3
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20
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25
____
0
____
0
____
45
____
50
____
15
____
15
____
45
65
注意事项:
1.转变是从与输出负载测试(图2 )低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
3.要访问的RAM ,
CE
= V
IL
SEM
= V
IH
。要访问信号量,
CE =
V
IH
SEM
= V
IL
.
部分4号“X”表示额定功率(S或L ) 。
5.参考芯片使能真值表。
6.工业级温度:其他的速度,封装和权力联系您的销售办事处。
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