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IDT 70V27S / L
高速3.3V 32K ×16的双端口静态RAM
商用和工业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(5,6)
70V27X15
Com'l只有
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
SWRD
t
SPS
写周期时间
芯片使能到结束时的写
(3)
地址有效到结束时的写
地址建立时间
(3)
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
数据保持时间
(4)
(1,2)
70V27X20
Com'l只有
分钟。
马克斯。
70V27X25
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
15
12
12
0
12
0
10
____
____
20
15
15
0
15
0
15
____
____
25
20
20
0
20
0
15
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3603 TBL 13A
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
10
____
10
____
15
____
0
____
0
____
0
____
写使能在高阻输出
(1,2)
输出从主动结束了，写
SEM
标志写阅读时间
SEM
国旗竞争窗口
(1,2,4)
10
____
10
____
15
____
0
5
5
0
5
5
0
5
5
____
____
____
____
____
____
70V27X35
Com'l &工业
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
SWRD
t
SPS
写周期时间
芯片使能到结束时的写
(3)
地址有效到结束时的写
地址建立时间
(3)
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
数据保持时间
(4)
(1,2)
70V27X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
35
30
30
0
25
0
20
____
____
55
45
45
0
40
0
30
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3603 TBL 13B
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
20
____
25
____
0
____
0
____
写使能在高阻输出
(1,2)
输出从主动结束了，写
SEM
标志写阅读时间
SEM
国旗竞争窗口
(1,2,4)
20
____
25
____
0
5
5
0
5
5
____
____
____
____
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问RAM
CE =
V
IL
和
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
。任何一个条件必须是适用于整个吨
EW
时间。是指芯片使能
真值表。
4.规范吨
DH
必须通过该设备的所有操作条件下供给的写入数据到RAM来满足。虽然吨
DH
和T
OW
值会有所不同的过电压
和温度，实际吨
DH
总是会比实际吨小
OW
.
部分5号“X”表示额定功率（S或L ） 。
6.工业级温度：其他的速度，封装和权力联系您的销售办事处。
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