IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(4,5)
70V26X25
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
信号标志更新脉冲（ OE或
SEM ）
旗语地址访问时间
25
____
____
70V26X35
Com'l只有
分钟。
马克斯。
70V26X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
35
____
____
55
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2945 TBL 11
25
25
25
15
____
35
35
35
20
____
55
55
55
30
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
3
3
____
3
3
____
3
3
____
____
____
____
15
____
20
____
25
____
0
____
0
____
0
____
25
____
35
____
50
____
15
____
15
____
15
____
35
45
65
注意事项：
1.转换测量0mV从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE
= V
IL
和
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
.
部分4号“X”表示额定功率（S或L ） 。
5.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
上电掉电时序
CE
I
CC
I
SB
t
PU
50%
t
PD
50%
2945 DRW 06
,
6.42
7
