BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16或1M ×8位切换
描述
BS616LV8025
极低的工作电压： 4.5 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 45毫安（最大）工作电流
I级： 50毫安（最大）工作电流
微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在Vcc = 5.0V
-70
70ns的（最大）在Vcc = 5.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV8025是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为524288字随机存取存储器
1,048,576字节由8位选择了CIO引脚和广泛的工作
范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
对在5.0V操作55 / 70ns的3uA的和最大的访问时间。
容易记忆膨胀被一个高电平有效的芯片提供
ENABLE2 （ CE2 ） ，低电平有效的芯片ENABLE1 （ CE1 ） ，低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8025具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8025是采用48引脚BGA型可用。
产品系列
速度
（纳秒）
Vcc=5V
产品
家庭
操作
温度
VCC
范围
(I
CCSB1
，最大值）
功耗
待机
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
BS616LV8025BC
BS616LV8025BI
+0
O
C至+70
O
4.5V 5.5V
-40
O
C至+ 85
O
4.5V 5.5V
55/70
55/70
30uA
100uA
45mA
50mA
BGA
-48-0810
BGA
-48-0810
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
CIO
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
SAE 。
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
CIO
VDD
GND
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
16(18)
控制
地址输入缓冲器
WE
A11
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
48球CSP顶视图
百联半导体公司
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R0201-BS616LV8025
1
修订版2.4
2002年4月
