BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16或1M ×8位切换
描述
BS616LV8025
极低的工作电压： 4.5 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 45毫安（最大）工作电流
I级： 50毫安（最大）工作电流
微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在Vcc = 5.0V
-70
70ns的（最大）在Vcc = 5.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV8025是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为524288字随机存取存储器
1,048,576字节由8位选择了CIO引脚和广泛的工作
范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
对在5.0V操作55 / 70ns的3uA的和最大的访问时间。
容易记忆膨胀被一个高电平有效的芯片提供
ENABLE2 （ CE2 ） ，低电平有效的芯片ENABLE1 （ CE1 ） ，低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV8025具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8025是采用48引脚BGA型可用。
产品系列
速度
（纳秒）
Vcc=5V
产品
家庭
操作
温度
VCC
范围
(I
CCSB1
，最大值）
功耗
待机
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
BS616LV8025BC
BS616LV8025BI
+0
O
C至+70
O
4.5V 5.5V
-40
O
C至+ 85
O
4.5V 5.5V
55/70
55/70
30uA
100uA
45mA
50mA
BGA
-48-0810
BGA
-48-0810
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
CIO
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
SAE 。
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
CIO
VDD
GND
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
16(18)
控制
地址输入缓冲器
WE
A11
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
48球CSP顶视图
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8025
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS616LV8025
名字
A0 - A18地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述19的地址输入中选择的所述一个
1048576个8位字节在RAM如果CIO的为低。请勿使用时， CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 524,288个16位字构成
如果选中CIO高。选择1048576 ×8位字节的配置，如果是首席信息官
低。
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
VSS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
R0201-BS616LV8025
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
BS616LV8025
测试条件
Vcc=5V
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
45
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
VCC =最大， CE1 = V
IL
和CE2 =
V
IH
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 =
V
IL
, I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1
VCC- 0.2V ，或
VCC - 0.2V
CE2
0.2V, V
IN
0.2V
或V
IN
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
I
CCSB
Vcc=5V
--
--
2
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=5V
--
3
30
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
R0201-BS616LV8025
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