特点
单电源进行读写： 2.7 3.6V （ BV ） ， 3.0 3.6V （ LV ）
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部控制程序和定时器
部门架构
- 一个16K字节的引导与规划锁定座
- 两个8K字节的参数块
- 两个主要的存储器块（ 96K ， 128K字节）
快速擦除周期 - 10秒
逐字节编程 - 30微秒/字节典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49BV / LV002 （ N） （T ）是3伏，只在系统内可编程Flash存储器。
其2兆的内存由8位， 262,144字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为70
NS只有90毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50微安。对于
2-Megabit
（ 256K ×8 ）
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT49BV002
AT49LV002
AT49BV002N
AT49LV002N
AT49BV002T
AT49LV002T
AT49BV002NT
AT49LV002NT
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O7
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据输入/输出
不连接
DIP顶视图
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC顶视图
A12
A15
A16
复位*
VCC
WE
A17
VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或
TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
牧师0982C - 07 / 98
*注：该引脚为直流的AT49BV002N （ T）和AT49LV002N （ T） 。
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