AT49BV/LV002(N)(T)
设备操作
阅读：
该AT49BV / LV002 （ N） （ T）是一样的访问
EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在该存储器中的位置数据所决定
地址引脚被断言的输出。的输出是
把在高阻抗状态，每当CE或OE是
高。这种双行控制给出了预设计的灵活性
排气总线争用。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。如果
RESET引脚使一个由高到低的转变过程中的程序
或擦除操作时，该操作可能无法成功地
完成并且操作将后进行重复
高的电平被施加到复位引脚。当高电平
重新生效的RESET引脚，该设备返回到
读或待机模式下，根据的状态
控制输入。通过施加12V的
±
0.5V的输入信号到
RESET引脚，引导块阵列可以被重新编程
即使引导块锁定功能已启用
（见引导块编程锁定覆盖部分） 。
复位功能不可用的
AT49BV/LV002N(T).
删除：
前一个字节可以被重新编程，主要
内存块或参数块，其中包含的字节
必须擦除。的存储器位的擦除状态是
逻辑“1” 。整个装置可以一次通过擦除
使用6字节的软件代码。该软件芯片擦除
代码由6字节装入命令的具体地址
与一个特定的数据模式的位置（请参考
芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能有
被启用，在引导扇区中的数据不会被
删除。
芯片擦除：
如果引导块锁定已启用，
芯片擦除功能将擦除参数块1 ，
参数块2 ，主内存1座，及主要的MEM
储器2座，但不引导块。如果引导块锁定
尚未启用，芯片擦除功能将擦除
整个芯片。整个芯片擦除后设备会
返回到读模式。在芯片擦除任何命令
将被忽略。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备被组织成扇区，可以是单独地
删除。有两个8K字节参数块部分
和两个主要的存储器块。在8K字节的参数
块部分可独立擦除和重现
编程。两个主存储器的部分被设计成
作为替代存储器扇区。也就是说，每当
所述块中的一个已擦除和重新编程，该
其他块应该被删除，并重新编程之前
第一个块被再次擦除。扇区擦除命令
是六总线周期操作。扇区地址被锁存
在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘
输入命令锁存在WE的上升沿。该
之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始
周期。擦除操作是内部控制;它会
自动完成时间。
字节编程：
一旦存储器阵列是
擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的
逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组
用vert “0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期
运行（请参考命令定义的表）。
该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
该项目周期有锁的下落地址
边WE或CE认证，去年为准，而数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。编程是指定的T完成后，
BP
周期
时间。的数据查询功能，也可以使用，从而提供与
泄漏一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
该块的大小为16K字节。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。引导块的地址范围是
00000至03FFF为AT49BV / LV002 （N），而
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