飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET
BUK109-50GS
电感开启
10
VIS / V
TD上
BUK109-50GS
V（ CL ） DSS
VDS
VDD
0
ID
L
VDS
D
TOPFET
I
+
-
VDD
ID / A
5
tr
90%
0
VIS
-ID/100
D.U.T.
VDS / V
10%
10%
0
P
肖特基
0
0
10
时间/美
20
RIS
S
R 01
分流
图24 。典型的开关波形，电感性负载。
V
DD
= 10 V ;我
D
= 6 A;
I
= 50
, T
j
= 25 C.
图27 。钳位能源测试电路，R
IS
= 50
.
2
E
帝斯曼
=
0.5
LI
D
V
（ CL ） DSS
/(V
（ CL ） DSS
V
DD
)
电感TURN -OFF
10
90%
tf
TD关闭
BUK109-50GS
VDS / V
1毫安
IDSS
100微安
ID / A
90%
5
VIS / V
10%
10微安
典型值。
1微安
0
0
10
20
时间/美
30
40
50
100 nA的
0
20
40
60
80
TJ / C
100
120
140
图25 。典型的开关波形，电感性负载。
V
DD
= 10 V ;我
D
= 6 A;
I
= 50
, T
j
= 25 C.
图28 。典型的断态泄漏电流。
I
DSS
= F （T
j
） ;条件： V
DS
= 40 V ;我
IS
= 0 V.
IISO归一化到25℃的
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
EDSM ％
1.5
1
0.5
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图26 。正常化限制夹紧能量。
E
帝斯曼
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 27 A; V
IS
= 10 V
图29 。归一化的输入电流（正常工作） 。
I
IS
/I
IS
25 C = F（T
j
); V
IS
= 10 V
1996年6月
9
启1.000
