飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET
BUK109-50GS
100
TD SC / MS
BUK109-50GS
30
ID / A
BUK109-50GS
10
20
典型值。
电力需求侧管理
1
10
0.1
0.1
1
PDS /千瓦
10
0
50
60
VIS / V
70
图12 。典型的过载保护特性。
t
SC
= F （P
DS
） ;条件： V
IS
≥
5 V ;牛逼
j
= 25 C.
PDSM ％
120
图15 。典型钳位特性， 25 C 。
I
D
= F（V
DS
） ;条件： V
IS
= 0 V ;牛逼
p
≤
50
s
VIS （ TO ） / V
2
马克斯。
100
80
60
40
20
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TMB / C
80
100
120
140
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120 140
典型值。
1
分钟。
图13 。正常化限制过载耗散。
P
帝斯曼
% =100
P
帝斯曼
/P
帝斯曼
（ 25℃） = F （T
mb
)
能源&时间
BUK109-50GS
图16 。输入阈值电压。
V
IS （TO）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= 5 V
II /毫安
BUK109-50GS
1
1.0
时间/ MS
0.5
0.5
能量/ J
TJ （ TO ）
0
-60
-20
20
60
100
TMB / C
140
180
220
0
0
2
4
6
VIS / V
8
10
12
14
图14 。典型的过载保护特性。
条件： V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V ; SC负荷为30m
图17 。典型的直流输入特性，T
j
= 25 C.
I
IS
= F（V
IS
） ;正常工作
1996年6月
7
启1.000
