IDT72281/72291
CMOS SuperSync FIFO 65,536 ×9和131,072 ×9
IDT72281 （ 65,536 ×9
位）
8
7
空OFFSET （ LSB ）寄存器
默认值
如果7FH
LD
为低电平，主复位
如果FFH
LD
是高在主复位
商业和工业
温度范围
IDT72291 （ 131,072 ×9
位）
0
8
7
空OFFSET （ LSB ）寄存器
默认值
如果7FH
LD
为低电平，主复位
如果FFH
LD
是高在主复位
0
8
7
空OFFSET （ MSB ）寄存器
默认值
如果00H
LD
为低电平，主复位
如果03H
LD
是高在主复位
0
8
7
空OFFSET （ MID - BYTE ）注册
默认值
如果00H
LD
为低电平，主复位
如果03H
LD
是高在主复位
0
8
7
FULL OFFSET （ LSB ）寄存器
默认值
如果7FH
LD
为低电平，主复位
如果FFH
LD
是高在主复位
0
8
1
0
空偏移
（ MSB ）寄存器
默认
0H
8
8
7
FULL OFFSET （ MSB ）寄存器
默认值
如果00H
LD
为低电平，主复位
如果03H
LD
是高在主复位
7
FULL OFFSET （ LSB ）寄存器
默认值
如果7FH
LD
为低电平，主复位
如果FFH
LD
是高在主复位
0
0
8
7
FULL OFFSET （ MID - BYTE ）注册
默认值
如果00H
LD
为低电平，主复位
如果03H
LD
是高在主复位
0
8
1
0
全偏移
（ MSB ）寄存器
默认
0H
4675 drw06
图3.偏移寄存器地址和默认值
LD
0
仁文SEN
0
1
1
WCLK
RCLK
X
IDT72281
并行写入寄存器：
空偏移（ LSB ）
空偏移（ MSB ）
全偏移（ LSB ）
全偏移（ MSB ）
从寄存器并行读：
空偏移（ LSB ）
空偏移（ MSB ）
全偏移（ LSB ）
全偏移（ MSB ）
IDT72291
并行写入寄存器：
空偏移（ LSB ）
空偏移（中字节）
空偏移（ MSB ）
全偏移（ LSB ）
全偏移（中字节）
全偏移（ MSB ）
从寄存器并行读：
空偏移（ LSB ）
空偏移（中字节）
空偏移（ MSB ）
全偏移（ LSB ）
全偏移（中字节）
全偏移（ MSB ）
串行移位寄存器为：
34位用于IDT72291
1比特的每个上升沿的WCLK边缘
空起始偏移（ LSB ）
具有完全结束偏移（ MSB ）
无操作
写存储器
阅读记忆
无操作
4675 drw07
0
1
0
1
X
0
1
1
0
X
串行移位寄存器为：
32位用于IDT72281
1比特的每个上升沿的WCLK边缘
空起始偏移（ LSB ）
具有完全结束偏移（ MSB ）
无操作
写存储器
阅读记忆
X
1
1
1
1
0
X
1
1
X
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
无操作
注意事项：
1.编程方法只能在主复位选择。
的偏移寄存器2.并行读取，始终允许，无论哪种编程的方法已被选中的。
3.编程序列适用于IDT标准和FWFT模式。
图4.可编程标志偏移编程序列
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