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2004年11月
AS7C33256PFS32A
AS7C33256PFS36A
3.3V 256K
×
32/36流水线突发同步SRAM
特点
组织： 262,144字× 32或36位
快速的时钟速度为166 MHz的
快速时钟到数据存取： 3.5 / 4.0纳秒
快速OE访问时间： 3.5 / 4.0纳秒
完全同步寄存器到寄存器操作
单周期解选
异步输出使能控制
可用IN100引脚TQFP
单个字节的写入和全局写
多芯片能够很容易地扩展
3.3V内核电源
2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
DDQ
线性或交错突发控制
贪睡模式，降低功耗，待机
常见的数据输入和数据输出
典型值为30 mW的待机功率在掉电模式
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[17:0]
18
Q0
突发的逻辑
Q1
18 2 16
D
Q
CE
地址
注册
CLK
D
DQ
d
Q
字节写
注册
CLK
D
DQ
Q
c
字节写
注册
CLK
D
DQ
b
Q
字节写
注册
CLK
D
DQ
Q
a
字节写
注册
CLK
D
启用
CE
注册
CLK
Q
CLK
CE
CLR
2 18
256K × 32/36
内存
ARRAY
BWE
GWE
36/32
36/32
BW
d
BW
c
BW
b
BW
a
CE0
CE1
CE2
4
OE
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
ZZ
动力
下
D
启用
Q
延迟
注册
CLK
36/32
DQ [ A：D ]
OE
选购指南
–166
最小周期时间
最大时钟频率
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
11/30/04, v.3.1
–133
7.5
133
4
425
100
30
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
20 P. 1
6
166
3.5
475
130
30
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