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AS7C25512NTD32A/36A
突发订单
交错突发顺序（ LBO = 1 ）
A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0
起始地址
第一个增量
第二个增量
三是增量
0 0
0 1
1 0
1 1
0 1
0 0
1 1
1 0
1 0
1 1
0 0
0 1
1 1
1 0
0 1
00
起始地址
第一个增量
第二个增量
三是增量
线性突发顺序（ LBO = 0 ）
A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0
0 0
0 1
1 0
1 1
0 1
1 0
1 1
0 0
1 0
1 1
0 0
0 1
1 1
0 0
0 1
1 0
同步真值表
[5,6,7,8,9,11]
CE0
CE1 CE2 ADV / LD R / W
BWN
OE
CEN
地址
来源
CLK
手术
DQ
笔记
H
X
X
X
L
X
L
X
L
X
L
X
X
X
X
L
X
H
X
H
X
H
X
H
X
X
X
H
X
X
L
X
L
X
L
X
L
X
X
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
H
X
H
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
NA
NA
NA
NA
NEXT
NEXT
NEXT
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
取消选择周期
取消选择周期
取消选择周期
CONTINUE DESELECT周期
读周期（开始爆发）
读周期（继续爆发）
虚读（继续爆发）
写周期（开始爆发）
写周期（继续爆发）
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
Q
1,10
2
3
1,3,10
2,3
1,2,3,
10
4
1
外部的LtoH
外部的LtoH NOP /虚读（开始爆发）高阻
外部的LtoH
D
D
高-Z
高-Z
-
高阻1,2,10
外部的LtoH NOP /写入中止（开始爆发）
NEXT
的LtoH
写入中止（继续爆发）
INHIBIT时钟
当前的LtoH
KEY：
X =无关， H =高电平，L =低。
BWN = H表示所有字节的写信号（ BWA ， BWB ， BW
C和
BW
d）是HIGH 。
BW
N = L是指一个或
更多字节的写信号低。
注意事项：
1继续BURST周期，无论是读取或写入，使用相同的控制输入。在最初执行的周期的类型（读或写）是选
BEGIN突发周期。如果取消选定循环首先执行的CONINUE DESELECT周期才能进入。
2虚拟读取和写入中止循环可以考虑NOP指令，因为该设备不进行外部操作。写入中止是指
WRITE命令被给出，但不执行任何操作。
3参考可以是有线的低，以减少控制信号的到SRAM的数目。写操作期间，设备将自动关闭输出驱动器
周期。操作环境时，可以使用该总线的导通和关断时间的不符合应用程序的要求。
4如果一个读操作中出现INHIBIT时钟命令时， DQ总线保持有效的（低 - Z ） 。如果在写周期发生时，公交车会
保持在高阻抗。任何写操作过程中的禁止时钟周期来完成。
5
BW
一个能够写入字节“A” （ DQA引脚） ;
BW
B能够写入字节“ B” （ DQB引脚） ;
BW
C开启写入字节“ C” （ DQC引脚） ;
BW
d
允许写入字节“ D” （ DQD引脚） 。
6 ，除了所有输入
OE
和ZZ必须满足建立和保持CLK的周围的上升沿的时间（低到高） 。
7等待状态设置插入
CEN
高。
8此设备包含的电路，这将确保输出将在高阻电期间。
9该器件集成了一个2位的突发计数器。地址换到初始地址每四个突发周期。
10 ，地址计数器增加所有CONTINUE BURST周期。
11 ZZ引脚始终为低电平在这个真值表。
12/23/04, v 2.2
半导体联盟
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