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AS7C25512NTD32A/36A
功能说明
该AS7C25512NTD32A / 36A系列是一个高性能CMOS 16兆位同步静态随机存取存储器
组织为524,288字（ SRAM ）× 32或36位，并采用了晚晚写。
16MB的+同步SRAM的这种变化采用了无周转时间（ NTD
）架构，具有增强型
写操作是在流水线突发设备提高了带宽。在一个正常的流水线脉冲串装置，写入数据，
命令，地址都加到器件上的相同的时钟沿。如果读命令如下这样写命令，
该系统必须等待两个“死”周期为有效的数据变得可用。这些死循环可显著降低
总体带宽要求的随机存取或读 - 修改 - 写操作的应用程序。
新台币
设备使用的存储器总线更有效地通过引入一个写延迟相匹配的双循环流水线或
一个周期的流通读延迟。写数据加到两个周期之后的写入命令和地址，允许的读
管道疏通。与NTD
写和读操作可以用任何顺序，而不产生死总线周期。
断言R / W的低执行写周期。字节写使能控制写访问特定的字节数，或者可连接低全
32/36位的写操作。写使能信号，以及写地址，被登记在时钟的上升沿。写入数据
施加到器件上的两个时钟周期之后。不像某些异步SRAM ，输出使能OE不需要进行切换
对于写操作;它可以连接到低电平的正常运营。输出变为高阻抗状态时，该设备是DE-
通过任何三个芯片的选择使能输入。在流水线模式， 2个周期的延迟取消允许挂起的读或写
操作完成。
用ADV （突发提前）输入来执行突发读取，写入和取消操作。当ADV高，外部地址，芯片
选择， R / W引脚被忽略，内部地址计数器增量由LBO控制指定的计数序列。任何
设备操作，包括连拍，可以使用CEN = 1停滞不前，时钟使能输入。
该AS7C25512NTD32A / 36A与该设备的核心电压2.5V ± 5 ％电源供电（V
DD
） 。这些设备是
采用100引脚TQFP封装。
TQFP电容
参数
输入电容
I / O容量
*保证不会测试
符号
C
以*
C
I / O *
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
TQFP封装热阻
描述
热阻
（结到环境）
1
热阻
（结到外壳顶部的）
1
1 ，该参数被采样
条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51
1–layer
4–layer
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
典型
40
22
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
12/23/04, v 2.2
半导体联盟
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