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PD75P048
CMOS设备的注释
1 ESD防护措施用于半导体
注：强电场作用下，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏的
栅氧化层，从而影响设备的运行。步骤必须
采取停止产生静电尽可能，并迅速
消散一次，发生时。
环境控制必须是
半导体
足够。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议
避免使用绝缘体，因为它们容易产生静电。
设备必须存储并在防静电容器运送，静
屏蔽袋或导电材料。所有的测试和测量工具，包括
工作台和地面应接地。操作者应接地
使用腕带。半导体器件不能用裸感动
手。类似的预防措施需要采取的PW板与半导体
在它的设备。
2操作处置未使用的输入引脚的CMOS
注： CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果没有
连接被设置到输入引脚，它可能是一个内部输入
水平可能由于噪声等产生的，从而导致误操作。 CMOS
设备的操作特性与Bipolar或NMOS设备。 CMOS的输入电平
设备必须是固定的高或低的通过使用上拉或下拉电路。每
未使用的引脚应连接到V
DD
或GND之间的电阻，如果它被认为是
以具有作为一个输出管脚的可能性。所有处理与未使用的
引脚必须由设备来判断设备和相关的规范说明
设备。
3初始化之前的状态的MOS器件
注：上电并不能确定MOS设备的初始状态。生产
MOS的方法不限定该装置的初始操作状态。
紧接之后的电源被接通时，具有复位装置
功能还没有被初始化。因此上电不能保证
外引脚的电平， I / O设置和寄存器的内容。设备未初始化
直到复位信号被接收。复位操作必须被立即执行
上电后具有复位功能的设备采用。
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