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P
PD70F3017A ， 70F3017AY
Flash存储器编程模式
写/擦除特性（T
A
= 1040
q
C，V
DD
= 3.0 3.6 V ）
参数
写入电流
符号
I
DDW
I
PPW
擦除电流
I
DDE
I
PPE
单位擦除时间
总擦除时间
重写数
V
PP
电源电压
记
条件
当V
PP
= V
PP1
V
DD
针
V
PP
针
当V
PP
= V
PP1
V
DD
针
V
PP
针
分钟。
典型值。
马克斯。
67
100
67
200
单位
mA
mA
mA
mA
s
s
时
t
ER
t
ERT
0.2
0.2
0.2
20
20
V
PP0
V
PP1
在正常操作期间
在Flash存储器编程模式
0
7.5
2
7.8
0.2V
DD
8.1
20
V
V
兆赫
工作频率
记
写/擦除被视为一个周期。
的动作
P
PD70F3017A和70F3017AY是不可预知的，如果闪存重写以上
的20倍。
42
数据表U14527EJ2V0DS00
