512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
TRC
地址AMS- 0
TAA
CE＃
TCE
OE ＃
VIH
WE＃
TOLZ
TOE
tOHZ
TCHZ
高-Z
数据有效
505 ILL F03.1
DQ7-0
高-Z
TCLZ
TOH
数据有效
注： AMS =高位地址
AMS = A15的SST29SF / VF512 ， A16为SST29SF / VF010 ， A17为SST29SF / VF020和A18的SST29SF / VF040
图4中，R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
内部程序操作开始
TBP
地址AMS- 0
555
TAH
TWP
WE＃
TAS
OE ＃
总胆固醇
CE＃
TCS
DQ7-0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
数据
字节
（地址/数据）
TWPH
TDS
2AA
555
ADDR
TDH
505 ILL F04.1
注： AMS =高位地址
AMS = A15的SST29SF / VF512 ， A16为SST29SF / VF010 ， A17为SST29SF / VF020和A18的SST29SF / VF040
图5 ： WE＃
ONTROLLED
P
ROGRAM
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
2001硅存储技术公司
S71160-05-000 5/01
505
11
