512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
AC特性
表10 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 5V±10%
为
SST29SF
XXX
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
和
2.7-3.6V
民
55
为
SST29VF
XXX
SST29SF/VFxxx-70
民
70
55
55
30
70
70
35
0
0
20
20
25
25
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T10.5 505
SST29SF/VFxxx-55
最大
0
0
0
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 5V±10%V
为
SST29SF
xxx和
2.7-3.6V
为
SST29VF
XXX
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
1
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
最大
20
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
CPH1
150
25
100
ns
ms
ms
T11.6 505
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2001硅存储技术公司
S71160-05-000 5/01
505
10
