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PSD834F2V
说明
一个指令由特定的序列的
操作。每一个接收到的字节顺序是DE-
通过在PSD的编码，并且不执行作为标准
写操作。该指令被执行时
正确的字节数被正确接收的
与两个连续字节之间的时间间隔是
比超时时间短。某些指令
系统蒸发散的结构，包括读操作自动对焦
器最初写操作。
该指令必须严格遵守。任何IN-
指令字节或超时的有效组合
连续的两个字节之间，同时解决
闪存存储器复位器件逻辑为READ
模式（闪存读取就像一个ROM设备） 。
该PSD支持总结中的说明
表7：
闪存：
s
通过芯片或扇区擦除记忆
s
s
s
s
s
s
挂起或恢复扇区擦除
方案一字节
RESET为READ模式
读小学的Flash标识符值
读扇区保护状态
绕行
这些说明详见表7。 EF -
的指令够的解码，前两个
一个指令的字节必须是在编码周期和
后面跟着一个指令字节或确认
字节。该编码周期包括写入数据的
在第一周期期间将AAh解决X555h和
第二赛扬在数据55H解决XAAAh
CLE 。地址信号A15- A12是无关很好地协同
荷兰国际集团的指令写入周期。然而，该
适当
扇形
SELECT
(FS0-FS7
or
CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须选择。
小学和中学的闪存有
相同的指令集（除了读主
闪光标识符）。该部门选择信号阻止 -
矿的Flash存储器是接收和exe-
可爱的指令。主闪存存储器是
如果选择的行业选择（ FS0 - FS7 ）中的任何一个
高，并且第二Flash存储器中选择
如果行业选择（ CSBOOT0-任何一个
CSBOOT3 ）为高。
断电指令和上电模式
上电模式。
该PSD内部逻辑复位
上电时为读模式。行业选择
（ FS0 - FS7和CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须
保持为低电平，写选通（ WR ， CNTL0 ）高，
中电的最大数据安全
内容，并删除一个字节BE-的可能性
ING写在写选通的第一条边（ WR ，
CNTL0 ） 。任何写周期开始时被锁定
V
CC
低于V
LKO
.
读
在典型的情况下， MCU可以读取
主闪存存储器或二次闪光
使用读操作，就像它的存储器
ROM或RAM设备。或者， MCU可以
使用读操作来获得状态信息
关于编程或擦除周期目前处于
进展情况。最后， MCU可以使用指令来
读取这些内存块的特殊数据。该
下面分别介绍这READ功能。
读取存储器的内容。
主要的闪存
和第二Flash存储器被放置在
在掉电后，芯片复位，或者复位读取模式
闪光指令（参见表7）。 MCU可以读取
主闪存存储器的存储内容
或第二Flash存储器采用OP-阅读
操作任何时候读取操作是不属于
一个指令。
读小学的Flash标识符。
该
主
闪速存储器的标识符被读取的指令
由4个操作： 3的具体写操作
tions和一个读操作（见表7） 。中
读操作时，地址位A6， A1和A0
必须是0,0,1 ，分别与相应的
行业选择（ FS0 - FS7 ）必须高。在iDEN的
tifier该设备是E7H 。
读存储器扇区保护状态。
该
主要的闪存扇区保护状态
阅读与4的操作组成的指令：
3具体的写操作和读操作
（见表7）。在读操作，地址
位A6， A1和A0必须是0,1,0 ，分别
而行业选择（ FS0 - FS7或CSBOOT0-
CSBOOT3 ）表示闪存扇区
其保护必须被验证。在读OP-
关合作生产01H如果闪存部门
受保护的，或者为00h如果该扇区没有被保护。
所有NVM块的扇区保护状态
（主闪存或继发性闪存存储器
储器） ，也可以由MCU访问读
Flash保护寄存器中PSD的I / O空间。看
题为“闪存扇区亲节
TECT “ ，第22页上的寄存器定义。
读擦除/编程状态位。
该
PSD提供了所使用的几种状态位
MCU确认完成擦除或亲中
克周期的闪存。这些状态位
最大限度地减少了MCU所花费的时间perform-
荷兰国际集团这些任务和在表8中被定义
根据需要，状态位可被读取多次。
对于闪存，微控制器可以执行READ
操作以获得这些状态位，而一个
擦除或编程指令正在执行
嵌入的算法。看到标题为
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