飞利浦半导体
最初的规范
硅扩散型功率晶体管
BU2532AW
VBESAT / V
1
IC = 9的
0.9
BU2530/2AL
VCC
LC
0.8
IC = 7的
IBend
TJ = 85℃
TJ = 25℃
VCL
LB
T.U.T.
CFB
0.7
-VBB
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
PD ％
归一化功率降额
图10 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 150 V;
-V
BB
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH的; V
CL
= 1450伏; L
B
= 0.3 - 2
H;
C
FB
= 1 - 10 nF的;我
B（完）
= 1.0 - 2.0 A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
IC / A
40
BU2530/32AL
30
区域
失败发生
20
10
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0
100
VCE / V
1000
1500
图8 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
mb
)
第Z / （K / W）
BU2525A
图11 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
10
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
D=0
0.001
1E-06
1E-04
1E-02
T / S
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
1E+00
图9 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1997年9月
4
启1.000
