飞利浦半导体
最初的规范
硅扩散型功率晶体管
BU2532AW
晶体管
IC
二极管
I
CSAT
100
的hFE
VCE = 1V
BU2530/2AL
t
TJ = 85℃
TJ = 25℃
IB
IBend
t
3.5us
5us
12.2us
10
VCE
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
t
图1 。开关时间波形。
图4 。高和低直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 1 V
ICsat
90 %
IC
100
的hFE
VCE = 5 V
BU2530/2AL
TJ = 85℃
TJ = 25℃
10 %
tf
ts
IB
IBend
t
10
t
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
- IBM
图2 。开关时间的定义。
图5 。高和低直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 5 V
+ 150V，额定
调整ICsat
VCESAT / V
10
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2530/2AL
Lc
1
IC / IB = 10
IBend
LB
T.U.T.
CFB
IC / IB = 5
0.1
-VBB
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
如图3所示。开关时间测试电路。
图6 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
1997年9月
3
启1.000
