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高效率， 10引脚μMAX ，降压型
控制器，用于笔记本电脑
侧的开关损耗通常不成为问题
直到输入电压大于15V时。
开关损耗中的高侧MOSFET可以成为
一个阴险的散热问题时最大电池电压
年龄被施加时，由于平方项中的CV
2
f
开关损耗公式。如果高侧MOSFET CHO-
孙中山充足
DS （ ON）
在低电池电压
当受到变得非常热
V
VP （MAX）
，重新考虑你的选择高边MOSFET导
FET 。
计算Q1的功耗，由于开关
荷兰国际集团的损失是困难的，因为它必须允许困难
量化该影响导通和因素
关闭时间。这些因素包括内部栅极电阻
值，栅极电荷，门限电压时，电感源
tance ，和PC板布局的特点。在后续
只有ING开关损耗的计算提供了一个非常
粗略估计，并不能代替面包板
评价，优选地包括使用一个验证
热电偶安装在Q1 ：
C
RSS
×
V
VP （MAX）
2
× ×
I
负载
PD （ Q1的开关）
=
I
门
其中C
RSS
为Q1的反向传输电容，
我
门
是峰值栅极驱动源出/吸入电流。
对于低边MOSFET ，最坏情况下的功率耗散
而不能使总是发生在最大电池电压：
V
OUT
PD(Q2)
=
1 -
×
I
负载
2
×
R
DS
V
VP （MAX）
绝对最差情况下MOSFET的功耗
发生在严重过载大于
I
LOAD （MAX）
但还不足以高到超过
电流限制，并导致故障锁存器跳闸。要亲
TECT针对这种可能性，该电路必须overde-
签署容忍：
I
负载
= I
LIMIT （ HIGH ）
+ （ LIR / 2 ）
I
LOAD （MAX）
在那里我
LIMIT （ HIGH ）
是最大的谷值电流
由限流电路允许的，包括门槛
宽容和导通电阻变化。这意味着
在MOSFET必须得到很好的散热器， 。如果短期税务局局长
没有过载保护CUIT保护是不够的，一个
正常我
负载
值可用于计算康波
新界东北强调。
期间，当高压侧开关关断时，电流的期间
从地租循环到两个FET的结
和电感器。作为结果，对极性
交换节点是负相对于地面。如果
不变，此电压将约为0.7V（一个
二极管压降）的同时兼具这两种开关转换边缘
ES关闭。中的边缘之间，该低侧开关
进行;下降是我
L
R
DS （ ON）
。如果一个肖特基钳位
跨过低侧开关接通时，初始和
最终的电压降会降低，提高efficien-
CY咯。
选择具有正向电压的肖特基二极管（D1）的
足够低，以防止MOSFET Q2的体二极管
在死区时间内导。作为一般规则，
具有额定直流电流等于1/3的二极管
负载电流是足够的。该二极管是可选的，可以
如果效率不是关键的是除去。
MAX1762/MAX1791
应用程序的问题
压差性能
输出电压调整范围内连续传导
化操作是由不可调的500ns限制
（最大值）最小关断时间单稳态。当有工作
低输入电压时，极限占空比必须calcu-
使用最坏情况值的导通和关断时间迟来。
制造公差和内部传播
延迟引入一个错误的T
ON
K系数。另外，
记住，瞬态响应性能
降压稳压器工作在压差差，
大容量输出电容必须经常补充。
辍学设计实例： V
IN
= 7V （分钟），V
OUT
= 5V ，女
= 300kHz的。所需的占空比是：
V
+ V
SW
5V + 0.1V
DC
REQ
=
OUT
=
=
0.74
V
VP
- V
SW
7V - 0.1V
导通时间的最坏情况是：
V
+ 0.075
5V + 0.075
t
开（分钟）
=
OUT
×
K
=
×
V
VP
7V
3.35
s
×
90%
=
2.18
s
该IC的最大占空比基于时序CON-
在MAX1762的straints / MAX1792是：
税
=
t
开（分钟）
t
开（分钟）
+ t
关（ MAX）的
=
2.18
s
=
0.82
2.18
s
+
0.5
s
满足所需的占空比。记住
包括电感电阻和MOSFET的通态电压
年龄下降（V
SW
）做最坏的情况下辍学免税时，
系数计算。
固定输出电压
该MAX1762 / MAX1791双模式操作允许
公共电压，而无需选择
外部元件（图9） 。将FB连接到GND
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