高效率， 10引脚μMAX ，降压型

控制器，用于笔记本电脑

MAX1762/MAX1791

“傻瓜”了误差比较器触发一个新的周期

后，立即500ns的最小关断时间段

过期。双脉冲十分恼人但无害，

造成什么比增大输出纹波。

然而，它可以指示环路的可能存在

不稳定，这也是造成ESR不足。环

不稳定可以行后的输出产生振荡

或加载扰动可导致输出电压

以低于容限。

检查稳定性的最简单的方法是应用

快速的零到满负载瞬态（参见

MAX1762 / MAX1791评估板手册） ，并仔细

观察输出电压纹波的包络过

冲和振铃。它可以帮助您同时监视

电感电流与交流电流探头。别

允许振铃超过一个周期的初始后

阶跃响应不足或过冲。

占空比）等于开关损耗（CV

VP

2

f).

确保处的传导损耗的最小

输入电压不超过封装的热极限

或违反总体热预算。导通损耗

加上开关在最大输入电压损失

应不超过封装额定值或违反

总热预算（见

MOSFET功率显示

sipation ） 。

除了效率的考虑，选用

第r

DS （ ON）

低侧的MOSFET必须考虑

监管机构的要求的电流限制。选择MOSFET导

场效应晶体管，其具有足够低的电阻比operat-

ING温度范围，使得该设备将无法

进入正常运行期间电流限制（见

确定电流限制） 。

相反，超低

R

DS （ ON）

设备可以设置电流限制过高，

可能导致efficien-只有不断改进

CY 。一些大的N沟道FET也有大量的

极间电容。验证MAX1762 /

MAX1791 DL驱动器可以在高握住门关闭

侧开关导通。交叉传导问题都可以

当高边开关导通，由于cou-发生

通过N型沟道的寄生的漏极至栅极耦

电容。

该MAX1762 / MAX1791具有自适应死区时间税务局局长

cuitry防止高侧和低侧

从导通的同时MOSFET的（见

MOSFET导

FET栅极驱动器） 。

即使有这样的保护，它仍然是

可能延迟内部到MOSFET ，以防止

一个MOSFET从而另一个导通关断

上。这是可以容忍的最大失配时间

是为60ns 。选择低关断时间的设备，并

确保NFET （T

D

（关，最大值） ） - PFET （T

D

（上分） ） <

为60ns ，而PFET （T

D

（关，最大值） ） - NFET （T

D

（上分） ）， <为60ns 。

如果不这样做，可能会导致效率的杀伤拍摄开启

通过电流。

输入电容的选择

输入电容必须满足纹波电流要求

换货（我

RMS

）开关电流罚款。

Nontantalum化学（陶瓷或OS- CON ）的预

ferred由于其适应电时的浪涌电流：

V

OUT

(V

VP

- V

OUT

)

I

RMS

≤

I

负载

=

I

VP

功率MOSFET选择

直流偏置和输出功率的考虑主导

选择与所使用的功率MOSFET的

MAX1762 / MAX1791 。小心不要超过

器件的最大额定电压。在一般情况下，这两个

开关被暴露于电源电压，所以选择

MOSFET的采用V

DS

（最大）大于VP （最大值）。门

驱动器的N沟道和P沟道MOSFET的

是不对称的。 N型沟道器件由从动

研磨成逻辑电源VL ，而P沟道

装置从VP驱动到接地。最大额定

荷兰国际集团的V

GS

对于N型沟道器件通常不是一个

问题;然而，V

GS

（最大值）为P沟道必须是在

至少VP （最大值）。因为V

GS

（最大）通常低于

V

DS

（最大值） ，栅极驱动约束往往决定了

需要P沟道击穿评级。

对于中输入至输出压差，高边

MOSFET（Q1）的尺寸可以比低侧越小

MOSFET（ Q2），而不会影响效率。该

高侧开关工作在非常低的占空比

在这些条件下，所以大部分的导通损耗

发生在第二季度。为了获得最大的效率，选择高

侧MOSFET （ Q1），其传导损耗（我

2

X

OS- CON是三洋的商标。

16

MOSFET功率耗散

最坏情况下的导通损耗发生在占空比

极端。用于高侧MOSFET ，最坏情况下的

功耗（PD ）的电阻引起的MIN-

imum电池电压：

V

PD （ Q1电阻）

=

OUT

×

I

负载

2

×

R

DS （ ON）

V

VP（ MIN ）

一般情况下，小高边MOSFET希望

减少开关损耗，在高输入电压。不过，

第r

DS （ ON）

由于封装功率显示范围内所需

sipation限制往往限制了MOSFET有多小

可以。再次，最适发生在开关（AC）的

损耗等于传导（R

DS （ ON）

）的损失。高

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