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M29F400T ， M29F400B
设备操作
参照表4，5和6 。
读取。
读操作被用于输出
的存储器阵列，所述电子显的内容
性质，状态寄存器或块保护
状态。这两个芯片使能E和输出使能摹
必须低，以读取的输出
内存。
写。
写操作是用来给指令
命令到存储器或锁存输入数据，以
进行编程。开始写操作时，
芯片使能E为低和写使能W为低
与输出使能摹高。地址锁存
W上或E取其最后一次出现下降沿。
命令和输入Dataare latchedon上升
以先到为准W或é的边缘。
输出禁用。
数据输出为高阻抗
ANCE当输出使能G是高配写
使W高。
待机。
内存处于待机状态时，芯片
启用E是高的P / E.C 。是空闲的。电源
消耗减少到备用水平和
的输出是高阻抗的，独立的
输出使能G或写使能W输入。
自动待机。
公交车后闲置为150ns
当CMOS电平的被驱动该地址
该芯片会自动进入一个伪待机
模式下消耗减少到CMOS
备用值，而产出仍然驱动总线。
电子签名。
两码识别
制造商，该设备可以从被读
内存。制造商的代码STMi-
croelectronics是20H ，设备代码是D5H的
M29F400T （顶部引导）和D6H的M29F400B
（底部引导） 。这些代码允许编程
设备或应用到自动匹配
其界面的特性
M29F400 。电子签名是输出由
读操作时施加至A9的电压为
在V
ID
和地址输入A1为低。该制造
商代码时，输出地址输入A0为
低，设备代码，当此输入为高。
其他地址输入将被忽略。该码是
在输出DQ0 - DQ7 。
电子签名，也可以读出，而不
A9提高到V
ID
通过给存储器中的指令
灰AS 。如果选择字节宽度的配置
该代码在输出DQ0 - DQ7与DQ8 - DQ14
在高阻抗;如果单词范围内的配置
被选择的代码输出上DQ0 - DQ7的同
DQ8 - DQ15为00H 。
块保护。
每个块可以被分别
防止编程或擦除编程
明装。块保护提供了额外
方面的资料的安全性，因为它禁止所有的程序或
eraseoperations 。 Thismode被激活时，这两个
A9和G被升高到V
ID
并且在一个地址
块被施加于A12 -A17 。块保护
算法示于图14块保护
关于W的边缘下降到V开始
IL
。再经过
为100μs的延迟， W的边缘上升到V
IH
端
保护操作。块保护验证是
通过将G， E， A0和A6到V实现
IL
和A1
到V
IH
，而W是在V
IH
和A9在V
ID
。在这些
条件，读出该数据输出将产生01H如果
由输入端上的A12 A17限定的块是
受保护的。任何企图编程或擦除亲
tected块将通过该装置被忽略。
座临时unprotection的。
任何以前
保护模块可以在暂时无保护
为了改变存储的数据。临时外部器件了
tection模式通过将RP到V激活
ID
.
在暂时解除保护模式预
viously保护块是不受保护的。块
可以选择和数据可以通过修改
执行擦除或编程指令与
在V举行RP信号
ID
。当RP返回到V
IH
,
所有以前受保护的块是再亲
tected 。
块unprotection的。
所有受保护的块可以是
未受保护的编程设备，使
更新一点内容。所有模块必须先
在解除保护操作前的保护。块
当A9 ，G和E是在解除保护被激活
V
ID
与A12 ， A15在V
IH
。块unprotection的
算法示于图15。 unprotection的是
由W的边缘下落到V发起
IL
。一个延迟之后
为10ms ，在解除保护操作将结束。非
保护校验是通过把G和E至取得
V
IL
而A0为V
IL
，A 6和A 1是在V
IH
和A9
保持在V
ID
。在这些条件下，读出
如果块被定义的输出数据将产生00H
输入A12 - A17已经成功地保护。
每块必须给予单独验证其
为了解决以确保它已经外部器件了
tected 。
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