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M29F400T ， M29F400B
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RP）
(2)
(1)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，E ，G ， RP电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°
C
°
C
°C
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
描述
（续）
graming和擦除编程设备，
暂时无保护做出改变
该应用程序。
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，擦除
暂停和恢复被写入到设备中
cyclesof使用命令到CommandInterface
标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP48 （ 12× 20毫米）和
SO44封装。正常和反向引脚
可用于TSOP48封装。
组织
该M29F400组织为512K ×8或256K X16
位选择的字节信号。当字节是
低字节宽度x8组织的选择和
地址线是DQ15A -1和A0 -A17 。该
数据输入/输出信号DQ15A - 1作为AD-
裙线A -1 ，其选择的下或上
字节的内存字上DQ0 - DQ7输出，
DQ8 - DQ14保持在高阻抗。当
字节是高内存使用的地址输入
A0 - A17和数据输入/输出DQ0 - DQ15 。
内存控制是由芯片使能E中提供，
输出使能G和写使能W输入。
复位/座临时RP unprotection的三电平
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平，
当举行高（在V
ID
）暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号，和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29F400T和M29F400B设备有一个数组
11块， 16 KB或8 1引导块
K字， 8 KB或4两参数块
K字， 32 KB或16 1正座
K字和64 KB或32七个主要模块
K字。该M29F400T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29F400B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.每个块可以单独被删除，任何命
块bination可以为多块被指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起，以便读取或程序的任何
阻止未ersased ，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
相应的总线周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
吨EC TI上， Unprot EC吨离子，普罗特ECT我的VERI风云，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
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