K4S641632C
基本特征和功能说明
1.时钟暂停
1 ）时钟暂停期间写（ BL = 4
CLK
CMD
CKE
通过CKE屏蔽
CMOS SDRAM
2 ）时钟暂停在读（ BL = 4 ）
WR
RD
通过CKE屏蔽
国内
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
D
0
D
0
D
1
D
1
D
2
D
2
不写
D
3
D
3
Q
0
D
0
Q
1
Q
0
Q
2
Q
1
Q
3
Q
2
Q
3
暂停的Dout
2. DQM操作
1 ）写面膜（ BL = 4 ）
CLK
CMD
DQM
蒙面byDQM
2 ）读取面膜（ BL = 4 ）
WR
RD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
D
0
D
0
D
1
D
1
D
3
D
3
Q
0
掩盖DQM
高阻
Q
2
Q
1
Q
3
Q
2
高阻
Q
3
DQM到数据的面膜= 0
DQM到数据输出面膜= 2
3 ） DQM带有时钟暂停（全页阅读）
注2
CLK
CMD
CKE
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Q
0
高阻
高阻
RD
Q
2
Q
1
高阻
高阻
Q
4
Q
3
高阻
高阻
Q
6
Q
5
Q
7
Q
6
Q
8
Q
7
*注意：
1. CKE到CLK禁用/启用= 1CLK 。
2. DQM使得数据输出高阻2CLKs应当由CKE " L"屏蔽后
3. DQM口罩两个数据，在和数据输出。
电子
