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DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
AC Timming参数&规格
参数
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
最后的数据读取命令
上校地址上校地址的延迟
时钟周期时间
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
从CK / CK DQS进出时间
从CK / CK的输出数据的访问时间
数据选通边缘到输出的数据边缘
阅读序言
阅读后同步
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS -保持时间
DQS下降沿到CK上升沿的建立时间
DQS下降沿从CK上升，保持时间
DQS -在高电平宽度
DQS -在低电平宽度
DQS -循环时间
地址和控制输入设置时间（快）
地址和控制输入保持时间（快）
地址和控制输入设置时间（慢）
地址和控制输入保持时间（慢）
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK数据输出低阻抗时间
输出转换速率匹配比（上升下降）
CL=2.0
CL=2.5
DDR SDRAM
符号
TRC
tRFC
tRAS的
tRCD的
激进党
TRRD
tWR的
Twtr
TCCD
TCK
总胆固醇
TCL
tDQSCK
TAC
TDQSQ
tRPRE
tRPST
tDQSS
tWPRES
tWPRE
TDSS
tDSH
tDQSH
tDQSL
TDSC
TIS
TIH
TIS
TIH
太赫兹
TLZ
tSLMR
B3
B0
AA
A2
（ DDR333@CL=2.5 ） （ DDR266@CL=2.0 ） （ DDR266@CL=2.0 ） （ DDR266@CL=2.5 ）单位
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
60
72
42
18
18
12
15
1
1
7.5
6
0.45
0.45
-0.6
-0.7
-
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.75
0.75
0.8
0.8
-0.7
-0.7
0.67
+0.7
+0.7
1.5
1.1
12
12
0.55
0.55
+0.6
+0.7
0.45
1.1
0.6
1.25
70K
60
75
45
15
15
15
15
1
1
7.5
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
1.0
1.0
-0.75
-0.75
0.67
+0.75
+0.75
1.5
1.1
12
12
0.55
0.55
+0.75
+0.75
0.5
1.1
0.6
1.25
70K
65
75
45
20
20
15
15
1
1
7.5
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
1.0
1.0
-0.75
-0.75
0.67
+0.75
+0.75
1.5
1.1
12
12
0.55
0.55
+0.75
+0.75
0.5
1.1
0.6
1.25
70K
65
75
45
20
20
15
15
1
1
10
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
1.0
1.0
-0.75
-0.75
0.67
+0.75
+0.75
1.5
1.1
12
12
0.55
0.55
+0.75
+0.75
0.5
1.1
0.6
1.25
70K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
12
3
i,5.7
i,5.7
i,
i,
1
1
修订版1.3日。 2005年
