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DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
输入/输出功能说明
符号
CK ， CK
TYPE
输入
描述
DDR SDRAM
时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号SAM-
PLED的CK和CK的下降沿的上升沿。输出（读出）的数据被引用到
CK的两边。内部时钟信号是由CK / CK 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，
装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电POWER-
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER- DOWN （行
在任何银行ACTIVE ） 。 CKE是同步的省电模式进入和退出，自
刷新进入。 CKE是异步的自刷新退出，输出禁用。 CKE
必须保持高吞吐量的读取和写入访问。输入缓冲器，但不包括CK ，
CK和CKE是在断电期间禁用。输入缓冲器，但不包括CKE被禁用
在自刷新。 CKE是SSTL_2输入，但是之后会检测LVCMOS电平低
在第一次开机VDD应用，V后
REF
电源和ini-过程中趋于稳定
tialization序列，它必须被保持为将所述CKE接收器的正确操作。为
适当的自刷新出入境，V
REF
必须保持到该输入端。
芯片选择： CS使（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了外部
在与多家银行系统，银行的选择。 CS被认为是命令代码的一部分。
命令输入： RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义命令被输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问采样以及输入数据高。 DM采样上都
DQS的边缘。虽然DM引脚的输入而已， DM加载的DQ和DQS相匹配
装载。
银行ADDRES输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或PRE-
充电命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，和列地址，
自动预充电位读/写命令，选择一个位置出来的MEM-的
储器阵列中的各行。预充电命令时A10进行采样，以确定
矿井是否预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果
只有一家银行将被预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入也
提供了一个模式寄存器设置命令在操作码。 BA0和BA1定义哪些
该模式寄存器设置命令（MRS或EMRS ）在模式寄存器加载。
数据输入/输出：数据总线
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑
在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。
无连接：无内部电气连接是否存在。
DQ电源： + 2.5V
±
0.2V.
DQ地面。
电源： + 2.5V
±
0.2V （设备特定的） 。
地面上。
SSTL_2参考电压。
CKE
输入
CS
RAS ， CAS ， WE
输入
输入
DM
输入
BA0 ， BA1
输入
A [0 : 12]
输入
DQ
的DQ
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
VREF
I / O
I / O
-
供应
供应
供应
供应
输入
， 2005年修订版1.3月
