DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）

DDR SDRAM规格产品&测试条件

条件

工作电流 - 一家银行主动预充电;

的tRC = tRCmin ; TCK = 10ns的为DDR200 ， 7.5ns的DDR 266 ，为6ns的DDR 333 ;

DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变一次;

地址和控制输入改变每隔2个时钟周期。

工作电流 - 一家银行的操作;

一家银行开放， BL = 4 ，读

- 请参阅以下页面进行详细的测试条件

DDR SDRAM

符号

IDD0

IDD1

IDD2P

Percharge掉电待机电流;

所有银行闲置;电源 - 省电模式;

CKE = <VIL （最大值） ; TCK = 10ns的为DDR200,7.5ns为DDR266 ，为6ns的DDR 333 ; VIN = VREF为DQ ， DQS和DM 。

预充电浮动待机电流;

CS ＃ > = VIH （MIN） ;所有的银行闲置; CKE > = VIH （MIN） ; TCK = 10ns的为DDR200 ，

7.5ns的DDR266 ，为6ns的DDR 333 ;地址和其它控制输入每个时钟周期改变一次;

VIN = VREF为DQ ， DQS和DM

预充电安静的待机电流;

CS ＃ > = VIH （MIN） ;所有银行闲置;

CKE > = VIH （MIN） ; TCK = 10ns的为DDR200 ， 7.5ns的DDR 266 ，为6ns的DDR 333 ;地址和其它控制输入

稳定在> = VIH （MIN）或= <VIL （最大值） ; VIN = VREF为DQ ， DQS和DM

有功功率 - 下待机电流;

一家银行主动;掉电模式;

CKE = < VIL （最大值） ; TCK = 10ns的为DDR200 ， 7.5ns的DDR 266 ，为6ns的DDR 333 ; VIN = VREF为DQ ， DQS和DM

当前待机电流;

CS ＃ > = VIH （MIN） ; CKE> = VIH （MIN） ;

一家银行主动;主动 - 预充电;的tRC = tRASmax ; TCK = 10ns的为DDR200 ， 7.5ns的DDR 266 ，为6ns的DDR 333 ;

DQ ， DQS和DM输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其它控制输入每个时钟改变一次

周期

工作电流 - 突发读取;

突发长度= 2 ;读取; continguous爆裂;一家银行主动;地址和控制

输入每个时钟周期改变一次; CL = 2在TCK = 10ns的为DDR200 ，CL = 2时为7.5ns DDR266 （ A2）中， CL = 2.5时

7.5ns的DDR266 （ B0 ） ，为6ns的DDR 333 ; 50 ％的数据变化对每一个转移;糊涂人= 0为m的

工作电流 - 突发写入;

突发长度= 2 ;写;连拍;

一家银行主动的地址和控制输入每个时钟周期改变一次; CL = 2 ，在TCK = 10ns的为DDR200 ， CL = 2

在TCK = 7.5ns的DDR266 （ A2 ） ， CL = 2.5的TCK = 7.5ns的DDR266 （ B0 ） ，为6ns的DDR 333 ; DQ ， DM和DQS输入

改变两次每时钟周期，输入数据的50％的变化，在每个脉冲串

自动刷新电流;

的tRC = tRFC （分钟） - 8 * TCK的DDR200在TCK = 10ns的; 10 * TCK的DDR266在TCK = 7.5ns ;

12 * TCK的DDR333在TCK = 6ns的;分布式刷新

自刷新电流;

CKE = < 0.2V ;外部时钟; TCK = 10ns的为DDR200 ， TCK = 7.5ns的DDR 266 ，用于为6ns

DDR333.

Orerating电流 - 四大银行的操作;

四大银行， BL = 4的交织

- 参照下页的详细的测试条件

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

IDD6

IDD7A

输入/输出电容

参数

输入电容

（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ， WE）

输入电容（ CK，CK ）

数据& DQS输入/输出电容

输入电容（DM为X4 / 8 ）

(V

DD

=2.5, V

DDQ

= 2.5V ，T

A

= 25 ° C，F = 100MHz时）

符号

CIN1

CIN2

COUT

CIN3

民

2

2

4

4

最大

3

3

5

DELTA

0.5

0.25

0.5

单位

pF

pF

pF

pF

记

4

4

1,2,3,4

1,2,3,4

5

注意：

1.These值由设计保证，只以抽样方式进行测试。

2.虽然DM是一个输入 - 只引脚，该引脚的输入电容必须符合的DQ和DQS引脚的输入电容。

这是必需的，以匹配DQ ， DQS ，和DM的信号传播时间在系统中。

3.不使用的引脚连接到地面。

4.本parameteer进行采样。 VDDQ = 2.5V + 0.2V + ， VDD = + 3.3V + 0.3V或+ 0.25V + 0.2V ， F = 100MHz时， TA = 25 ℃时， VOUT（ DC ） =

VDDQ / 2 ， VOUT（峰峰值） = 0.2V 。 DM输入组合与I / O引脚 - 反映出一个事实，即它们是匹配的负载

（便于跟踪匹配的板级） 。

， 2005年修订版1.3月