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ISL6526
最小的自举电容可以通过计算
重新排列前一方程和求解对于C
BOOT
.
Q
门
C
BOOT
=
----------------------------------------------------
-
V
BOOT1
–
V
BOOT2
不小于0.1μF 。该陶瓷电容器的公差
在选择最终引导时，也应考虑
电容值。
在选择时的快速恢复二极管建议
自举二极管以降低反向恢复的影响
电荷损失。否则，恢复电荷Q
RR
，会
已经被添加到所述MOSFET的栅极电荷和
计算最低时考虑到
自举电容。
对于MOSFET的在考虑的典型栅极电荷值
这些类型的应用范围从20到100nC 。自
横跨Q上的电压降
低
是可以忽略不计，V
BOOT1
is
简单的V
CPVOUT
- V
D
。肖特基二极管推荐
最小化的自举电容上的电压降
在上部MOSFET的导通时间。初步计算
随着V
BOOT2
不低于4V将迅速帮助缩小
自举电容范围。
例如，可以考虑上部MOSFET的选择与
最大栅极电荷Q
g
， 100nC的。限制电压
自举电容两端下降到一个值1V结果
ISL6526 DC-DC转换器应用
电路
图8示出的DC -DC转换器的应用电路。
详细信息电路，包括一个完整的Bill-
用料和电路板的描述，可以发现，在
应用笔记AN9994 。
3.3V
C
11
C
0.1F
TP
1
4
CT1
ISL6526
C
4
0.22F
5
CT2
CPGND
GND
BOOT
13
C
7
CPVOUT
3
D
1
C
5
10F
陶瓷的
0.1F
L
1
11
VCC
OCSET
U
1
6
TP
3
R
1
9.76k
C
2
1000pF
C
3
GND
10
1
C
6
1F
UGATE
相
14
12
2.5V @ 5A
C
8,9
启用
9
启用
COMP
8
C
10
33pF
R
2
C
11
LGATE
FB
7
2
Q
1
R
3
2.26k
R
4
R
5
1.07k
124
C
12
8200pF
GND
6.49kΩ 5600pF
图8： 3.3V至2.5V 5A DC- DC转换器
组件选择的注意事项：
C
3,8,9
- 每一个150μF ，松下EEF - UE0J151R或同等学历。
D1 - 30毫安肖特基二极管， MA732或同等
L
1
- 1μH电感，松下P / N ETQ - P6F1ROSFA或同等学历。
Q
1
- 飞兆半导体的MOSFET ; ITF86110DK8 。
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