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ISL6526
最大RMS电流由稳压需要可以
通过下面的公式近似估计：
I
RMS
=
V
OUT
V
IN
–
V
OUT
V
OUT
2
2
1
-------------
×
I
OUT
-
-
-
-
+ -----
×
----------------------------
×
-------------
V
IN
V
IN
12
L
×
f
s
最大
最大
对于通孔的设计，几个电解电容器可
是必要的。对于表面贴装设计，固体钽
电容器都可以使用，但必须谨慎以行使
考虑到电容器的浪涌电流额定值。这些电容器
必须能处理以下的浪涌电流在上电时。
一些电容系列，可从有信誉的生产厂家
有浪涌电流测试。
定的还原可用的栅极偏置电压（5V） ，逻辑电
电平或低逻辑电平的晶体管应同时用于
N-二的MOSFET。注意应与设备的行使
表现出非常低的V
GS （ ON）
的特点。在拍摄开启
通过保护目前这艘ISL6526可
这些MOSFET的规避，如果他们有较大的寄生
阻抗和/或电容，将抑制栅
被放电至低于其阈值的MOSFET的
在互补MOSFET前级导通。
引导组件选择
外部自举元件，二极管和电容，是
需要提供足够的栅极增强到上
MOSFET。内部MOSFET栅极驱动器是通过提供
如示于图7中的外部自举电路
启动电容C
BOOT
，开发一个浮动电源电压
参照的是相引脚。该电源是每个刷新
周期中，当D
BOOT
导通，以CPVOUT的电压小于
引导二极管压降，V
D
加上两端的电压上升
Q
低
.
CPVOUT
D
BOOT
BOOT
ISL6526
UGATE
相
C
BOOT
Q
上
注意：
V
摹-S
= V
CC
-V
D
Q
低
注意：
V
摹-S
= V
CC
GND
+
V
D
-
V
IN
MOSFET选择/注意事项
该ISL6526需要两个N沟道功率MOSFET 。
这些应该基于R上选择
DS （ ON）
，门供应
要求，和热管理要求。
在高电流应用中，MOSFET功率耗散，
封装选择和散热器是主要的设计
因素。功耗包括两个组成部分的损失;
导通损耗和开关损耗。导通损耗是
功耗的同时为上最大的组成部分
和下侧的MOSFET。这些损失分布之间
根据占空比的两个MOSFET 。开关
损失看时，输出电流会从不同
开关吸收电流时，看到的损失。当采购
当前，上部MOSFET实现大多数的开关的
损失。下部开关实现大多数的开关损耗
当转换器吸收电流（参见下一个方程
页）。这些公式假设线性电压，电流
过渡和不充分模拟由于功率损耗
反向恢复上和下MOSFET的体
二极管。栅极电荷损耗由ISL6526消散
不要加热的MOSFET。但是，大型栅极电荷
增大的切换间隔，叔
SW
这增加了
MOSFET的开关损耗。确保两个MOSFET都
在高温环境的最大结温
温度通过计算根据温度上升
封装热阻规格。一个单独的散热片
取决于MOSFET的功率，包可能是必要的
类型，环境温度和空气流。
损失，而目前的采购
2
1
-
P
上
=
Io
×
r
DS
(
ON
)
×
D
+ --
Io
×
V
IN
×
t
SW
×
f
s
2
-
+
LGATE
图7.上栅极驱动器自举
PWM开关周期的开始和电荷刚过
从自举电容器转移到栅电容
完成后，在自举电容上的电压在其
在开关周期的最低点。电荷丢失
自举电容将等于电荷
转移到的等效栅极 - 源极电容
如图上MOSFET ：
Q
门
= C
BOOT
× (
V
BOOT1
–
V
BOOT2
)
P
低
= 10
2
个R
DS （ ON）
×（1 - D）
亏损而灌入电流
P
上
= 10
2
个R
DS （ ON）
x深
2
1
-
P
低
=
Io
×
r
DS
(
ON
)
× (
1
–
D
)
+ --
Io
×
V
IN
×
t
SW
×
f
s
2
式中： D为占空比= V
OUT
/ V
IN
,
t
SW
是组合开关开启和关闭时间，并
f
s
为开关频率。
其中Q
门
是上侧的最大总的栅极电荷
MOSFET ，C
BOOT
是自举电容，V
BOOT1
is
自举电压前立即导通，并
V
BOOT2
是自举电压后立即开启。
自举电容器开始它的刷新周期时的栅极
变频器开始关闭的上部MOSFET 。刷新周期
结束时，上部MOSFET再次接通，这
变化取决于开关频率和占空比。
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